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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 24A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD30PF03LT4
  仓库库存编号：497-3158-1-ND
  别名：497-3158-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 15A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL530PBF
  仓库库存编号：IRL530PBF-ND
  别名：*IRL530PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 6-MLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 800mW Surface Mount 6-MLP (2x3)
  
  型号：FDMB2307NZ
  仓库库存编号：FDMB2307NZFSCT-ND
  别名：FDMB2307NZFSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8433A
  仓库库存编号：FDS8433ACT-ND
  别名：FDS8433ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI530GPBF
  仓库库存编号：IRLI530GPBF-ND
  别名：*IRLI530GPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），50A（Tc） 3.2W（Ta），56W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6030L
  仓库库存编号：FDD6030LCT-ND
  别名：FDD6030LCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12.5A SOP8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSH125N03TB1
  仓库库存编号：RSH125N03TB1CT-ND
  别名：RSH125N03TB1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS125N03FU6TB
  仓库库存编号：RSS125N03FU6TB-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL530STRRPBF
  仓库库存编号：IRL530STRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS6PF30L
  仓库库存编号：STS6PF30L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 24A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 30V 24A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD30PF03L-1
  仓库库存编号：STD30PF03L-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 15A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 15A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL530
  仓库库存编号：IRL530-ND
  别名：*IRL530
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 15A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL530STRR
  仓库库存编号：IRL530STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI530G
  仓库库存编号：IRLI530G-ND
  别名：*IRLI530G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 15A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 15A（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRL530L
  仓库库存编号：IRL530L-ND
  别名：*IRL530L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 15A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL530S
  仓库库存编号：IRL530S-ND
  别名：*IRL530S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 15A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL530STRL
  仓库库存编号：IRL530STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS125N03TB
  仓库库存编号：RSS125N03TBTR-ND
  别名：RSS125N03TB-ND
  RSS125N03TBTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.6A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：PMWD19UN,518
  仓库库存编号：568-2361-1-ND
  别名：568-2361-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：PMWD30UN,518
  仓库库存编号：568-2364-1-ND
  别名：568-2364-1
  PMWD30UN518
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS8934A
  仓库库存编号：FDS8934A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：FQS4410TF
  仓库库存编号：FQS4410TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 10A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4840DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4840DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4840DY-T1-E3CT
  SI4840DYT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 10.4A（Ta） 1.83W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7848DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7848DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7848DP-T1-E3CT
  SI7848DPT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 10A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4840DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4840DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
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