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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 45V 6.5A MPT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 45V 6.5A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1H065SPTR
  仓库库存编号：RP1H065SPCT-ND
  别名：RP1H065SPTRCT
  RP1H065SPTRCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），50A（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC042N03ST
  仓库库存编号：BSC042N03ST-ND
  别名：SP000014715
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO064N03S
  仓库库存编号：BSO064N03S-ND
  别名：BSO064N03SXT
  SP000077646
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），95A（Tc） 2.8W（Ta），62.5W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC042N03S G
  仓库库存编号：BSC042N03SGINCT-ND
  别名：BSC042N03SG
  BSC042N03SGINCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 5V,
• 无铅
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