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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP20N60
  仓库库存编号：FCP20N60-ND
  别名：FCP20N60_NL
  FCP20N60_NL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 42A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP57N65M5
  仓库库存编号：497-13113-5-ND
  别名：497-13113-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 42A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW57N65M5
  仓库库存编号：497-13125-5-ND
  别名：497-13125-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 200A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 300W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19535KTTT
  仓库库存编号：296-41135-1-ND
  别名：296-41135-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4227PBF
  仓库库存编号：IRFB4227PBF-ND
  别名：SP001565892
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB20N60FTM
  仓库库存编号：FCB20N60FTMCT-ND
  别名：FCB20N60FTMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9321TRPBF
  仓库库存编号：IRF9321TRPBFCT-ND
  别名：IRF9321TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB20N60TM
  仓库库存编号：FCB20N60TMCT-ND
  别名：FCB20N60TM_NLCT
  FCB20N60TM_NLCT-ND
  FCB20N60TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 44A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 658W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT44N50P
  仓库库存编号：IXFT44N50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 44A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 658W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK44N50P
  仓库库存编号：IXFK44N50P-ND
  别名：612450
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP040N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP040N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPP040N06N3 G
  IPP040N06N3 G-ND
  IPP040N06N3G
  SP000680788
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI57N65M5
  仓库库存编号：497-13107-5-ND
  别名：497-13107-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 42A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STWA57N65M5
  仓库库存编号：497-13604-5-ND
  别名：497-13604-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 3.75W（Ta），155W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB55N10TM
  仓库库存编号：FQB55N10TMCT-ND
  别名：FQB55N10TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA20N60F
  仓库库存编号：FCA20N60F-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta）. 100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC025N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC025N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC025N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC025N03MSGINCT
  BSC025N03MSGINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD038N06N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD038N06N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD038N06N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55.5A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN030-150B,118
  仓库库存编号：1727-4772-1-ND
  别名：1727-4772-1
  568-5950-1
  568-5950-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 95A（Tc） 4.3W（Ta），94W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：AUIRFN8403TR
  仓库库存编号：AUIRFN8403CT-ND
  别名：AUIRFN8403CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 62A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4227TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4227TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4227TRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 44A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 658W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH44N50P
  仓库库存编号：IXFH44N50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 55A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 155W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP55N10
  仓库库存编号：FQP55N10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 330W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4227PBF
  仓库库存编号：IRFP4227PBF-ND
  别名：SP001560510
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 42A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF57N65M5
  仓库库存编号：497-13103-5-ND
  别名：497-13103-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET NCH 850V 40A TO268HV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 860W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT40N85XHV
  仓库库存编号：IXFT40N85XHV-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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