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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 650V 42A TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） TO-247-4L
  
  型号：STW57N65M5-4
  仓库库存编号：497-13667-5-ND
  别名：497-13667-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI040N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI040N06N3GXKSA1-ND
  别名：SP000680656
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH14N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH14N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH14N65EF-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB57N65M5
  仓库库存编号：497-13087-1-ND
  别名：497-13087-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB037N06N3 G
  仓库库存编号：IPB037N06N3 GCT-ND
  别名：IPB037N06N3 GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  AUTO NCHANNEL 60V POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL225N6F7AG
  仓库库存编号：497-17551-1-ND
  别名：497-17551-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 312W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG22N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHG22N50D-GE3-ND
  别名：SIHG22N50DGE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 312W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG22N50D-E3
  仓库库存编号：SIHG22N50D-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP065N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP065N60E-GE3CT-ND
  别名：SIHP065N60E-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET NCH 850V 40A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 860W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH40N85X
  仓库库存编号：IXFH40N85X-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 211A 8-VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 211A (Tc) 139W（Tc） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD18512Q5BT
  仓库库存编号：CSD18512Q5BT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55.5A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN030-150P,127
  仓库库存编号：1727-4659-ND
  别名：1727-4659
  568-5776
  568-5776-5
  568-5776-5-ND
  568-5776-ND
  934056420127
  PSMN030-150P
  PSMN030-150P,127-ND
  PSMN030-150P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 200A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 300W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19535KTT
  仓库库存编号：296-45538-1-ND
  别名：296-45538-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA20N60
  仓库库存编号：FCA20N60-ND
  别名：FCA20N60_NL
  FCA20N60_NL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA20N60_F109
  仓库库存编号：FCA20N60_F109-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF20N60
  仓库库存编号：FCPF20N60-ND
  别名：FCPF20N60_NL
  FCPF20N60_NL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 44A（Tc） 658W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ44N50P
  仓库库存编号：IXTQ44N50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 208W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR44N50P
  仓库库存编号：IXFR44N50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 70A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 70A（Tc） 830W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH70N30Q3
  仓库库存编号：IXFH70N30Q3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 70A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 70A（Tc） 830W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT70N30Q3
  仓库库存编号：IXFT70N30Q3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD90N10S4L06ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N10S4L06ATMA1-ND
  别名：SP000866562
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH20N60
  仓库库存编号：FCH20N60-ND
  别名：FCH20N60_NL
  FCH20N60_NL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF20N60T
  仓库库存编号：FCPF20N60T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS7779Z
  仓库库存编号：FDS7779Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 34.2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 34.2A（Tc） 60W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF55N10
  仓库库存编号：FQPF55N10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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