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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 61A（Tc） 190W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA55N10
  仓库库存编号：FQA55N10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 70A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 70A（Tc） 155W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP70N08
  仓库库存编号：FQP70N08-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 70A（Tc） 3.75W（Ta），155W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB70N08TM
  仓库库存编号：FQB70N08TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FCPF20N60TYDTU
  仓库库存编号：FCPF20N60TYDTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP20N60_F080
  仓库库存编号：FCP20N60_F080-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA20N60FS
  仓库库存编号：FCA20N60FS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP20N60FS
  仓库库存编号：FCP20N60FS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF20N60FS
  仓库库存编号：FCPF20N60FS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 27A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 27A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJL6018DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJL6018DPK-00#T0-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 62A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 62A（Tc） 330W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4227PBF
  仓库库存编号：IRFSL4227PBF-ND
  别名：SP001576148
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI040N06N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI040N06N3GHKSA1-ND
  别名：IPI040N06N3 G
  IPI040N06N3 G-ND
  SP000398038
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 17A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5007TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5007TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5007TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），250W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5010TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5010TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5010TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 85A（Tc） 78W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7446TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH7446TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH7446TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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