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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 481W(Tc) TO-247
型号:
FCH072N60F
仓库库存编号:
FCH072N60F-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4010TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4010TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4010TRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 375W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4010PBF
仓库库存编号:
IRFSL4010PBF-ND
别名:SP001567760
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 75A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 592W(Tc) TO-247
型号:
FCH043N60
仓库库存编号:
FCH043N60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 780W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT43M60L
仓库库存编号:
APT43M60L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 31A(Tc) 355W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT30F60J
仓库库存编号:
APT30F60J-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXTT75N10L2
仓库库存编号:
IXTT75N10L2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 780W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT43M60B2
仓库库存编号:
APT43M60B2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 780W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT43F60B2
仓库库存编号:
APT43F60B2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 446W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R019C7FKSA1
仓库库存编号:
IPW65R019C7FKSA1-ND
别名:SP000928646
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 21.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 21.5A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),500W(Tc) TO-220
型号:
AOT270L
仓库库存编号:
785-1439-5-ND
别名:785-1439-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 140A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 21.5A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),500W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB270L
仓库库存编号:
785-1472-1-ND
别名:785-1472-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 45A(Tc) 780W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT43F60L
仓库库存编号:
APT43F60L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH75N10L2
仓库库存编号:
IXTH75N10L2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 32A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX32N90P
仓库库存编号:
IXFX32N90P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 32A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 900V 32A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK32N90P
仓库库存编号:
IXFK32N90P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 20A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX20N150
仓库库存编号:
IXTX20N150-ND
别名:Q6873231
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 31A(Tc) 355W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT30M60J
仓库库存编号:
APT30M60J-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 20A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 20A(Tc) 1250W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK20N150
仓库库存编号:
IXTK20N150-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 650V 75A(Tc) 446W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ65R019C7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ65R019C7XKSA1-ND
别名:SP001024002
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 180A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS4010
仓库库存编号:
AUIRFS4010-ND
别名:SP001522400
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 215nC @ 10V,
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