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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF630
  仓库库存编号：497-2757-5-ND
  别名：497-2757-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），34A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7522E
  仓库库存编号：785-1505-1-ND
  别名：785-1505-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 89A（Tc） 117W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN7R0-60YS,115
  仓库库存编号：1727-4635-1-ND
  别名：1727-4635-1
  568-5596-1
  568-5596-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.8A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4141_F085
  仓库库存编号：FDS4141_F085CT-ND
  别名：FDS4141_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7852ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7852ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7852ADP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS5672
  仓库库存编号：FDS5672CT-ND
  别名：FDS5672CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 19.8A 3.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4204DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4204DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4204DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS2734
  仓库库存编号：FDS2734CT-ND
  别名：FDS2734CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF16N50T
  仓库库存编号：FDPF16N50T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-PowerPak? ChipFet（3x1.9）
  
  型号：SI5419DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5419DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5419DU-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC100N06LS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC100N06LS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC100N06LS3 GCT
  BSC100N06LS3 GCT-ND
  BSC100N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），20A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ100N06LS3 G
  仓库库存编号：BSZ100N06LS3GINCT-ND
  别名：BSZ100N06LS3GINCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 4.5W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA12DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA12DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA12DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8817NZ
  仓库库存编号：FDS8817NZCT-ND
  别名：FDS8817NZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3504ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR3504ZPBFCT-ND
  别名：*IRFR3504ZTRPBF
  IRFR3504ZPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD60N55F3
  仓库库存编号：497-7972-1-ND
  别名：497-7972-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7852ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7852ADP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7852ADP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF22N60NT
  仓库库存编号：FCPF22N60NT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP16N65M5
  仓库库存编号：497-8788-5-ND
  别名：497-8788-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E150BNTB
  仓库库存编号：RQ3E150BNTBCT-ND
  别名：RQ3E150BNTBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V S308
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ0901NS
  仓库库存编号：BSZ0901NSCT-ND
  别名：BSZ0901NSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 22A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 150W（Tc） TO-247
  
  型号：STW31N65M5
  仓库库存编号：497-13122-5-ND
  别名：497-13122-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 24A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 128W（Tc） PG-TO247
  
  型号：IPW65R095C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW65R095C7XKSA1-ND
  别名：SP001080128
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 57A SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 57A（Tc） 55W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA06EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA06EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA06EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 12.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 12.2A（Ta），70A（Tc） 3W（Ta），100W（Tc） DPAK
  
  型号：STD5406NT4G-VF01
  仓库库存编号：STD5406NT4G-VF01OSCT-ND
  别名：STD5406NT4G-VF01OSCT
  STD5406NT4GOSCT
  STD5406NT4GOSCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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