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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 24A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 74W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6024KNZC8
  仓库库存编号：R6024KNZC8-ND
  别名：R6024KNZC8TR
  R6024KNZC8TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 24A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 245W（Tc） TO-247
  
  型号：R6024KNZ1C9
  仓库库存编号：R6024KNZ1C9-ND
  别名：R6024KNZ1C9TR
  R6024KNZ1C9TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 240W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA8N90C_F109
  仓库库存编号：FQA8N90C_F109-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP14NM65N
  仓库库存编号：497-7024-5-ND
  别名：497-7024-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.1W（Ta），5.4W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4396DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4396DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4396DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6.3A（Tc） 60W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF8N90C
  仓库库存编号：FQPF8N90C-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 16.5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 16.5A（Tc） 205W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA16N50_F109
  仓库库存编号：FDA16N50_F109-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.3A（Tc） 171W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB8N90CTM
  仓库库存编号：FQB8N90CTMCT-ND
  别名：FQB8N90CTMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6.3A（Tc） 171W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP8N90C
  仓库库存编号：FQP8N90C-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 24A POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 245W（Tc） LPTS
  
  型号：R6024KNJTL
  仓库库存编号：R6024KNJTLCT-ND
  别名：R6024KNJTLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Tc） 117W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN011-80YS,115
  仓库库存编号：1727-4623-1-ND
  别名：1727-4623-1
  568-5577-1
  568-5577-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR24N15DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR24N15DTRPBFCT-ND
  别名：IRFR24N15DTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD16N65M5
  仓库库存编号：497-8774-1-ND
  别名：497-8774-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA483DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA483DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA483DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ900DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ900DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ900DT-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 205W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP22N60N
  仓库库存编号：FCP22N60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH80N10F7-2
  仓库库存编号：497-14980-1-ND
  别名：497-14980-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD80N10F7
  仓库库存编号：497-14812-1-ND
  别名：497-14812-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 160A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
  
  型号：SQJQ906EL-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ906EL-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJQ906EL-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 17A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP23NM50N
  仓库库存编号：497-10883-5-ND
  别名：497-10883-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF16N65M5
  仓库库存编号：497-8893-5-ND
  别名：497-8893-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 650V 18A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF20N65M5
  仓库库存编号：497-13532-ND
  别名：497-13532
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW23NM50N
  仓库库存编号：497-10974-5-ND
  别名：497-10974-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU16N65M5
  仓库库存编号：497-11402-5-ND
  别名：497-11402-5
  STU16N65M5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V 6.1A 6DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.1A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB27EP,115
  仓库库存编号：1727-1370-1-ND
  别名：1727-1370-1
  568-10819-1
  568-10819-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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