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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF14NM65N
  仓库库存编号：497-10316-5-ND
  别名：497-10316-5
  STF14NM65N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 3.4A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI734G
  仓库库存编号：IRFI734G-ND
  别名：*IRFI734G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 4.9A（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF734L
  仓库库存编号：IRF734L-ND
  别名：*IRF734L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8109(TE12L)
  仓库库存编号：TPC8109CT-ND
  别名：TPC8109CT
  TPC8109TE12L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 4.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIB5N50LPBF
  仓库库存编号：IRFIB5N50LPBF-ND
  别名：*IRFIB5N50LPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 4.9A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF734PBF
  仓库库存编号：IRF734PBF-ND
  别名：*IRF734PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 3.4A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI734GPBF
  仓库库存编号：IRFI734GPBF-ND
  别名：*IRFI734GPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 8.4A（Tc） 220W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA8N80C
  仓库库存编号：FQA8N80C-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 8A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA8N90C
  仓库库存编号：FQA8N90C-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 16.5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 16.5A（Tc） 205W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA16N50
  仓库库存编号：FDA16N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 16A（Tc） 200W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP16N50
  仓库库存编号：FDP16N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 70A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 12.2A（Ta），70A（Tc） 3W（Ta），100W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5406NG
  仓库库存编号：NTD5406NG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 70A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 12.2A（Ta），70A（Tc） 3W（Ta），100W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5406NT4G
  仓库库存编号：NTD5406NT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 3.1W（Ta），5.4W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4396DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4396DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4396DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 6.3A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7120DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7120DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7120DN-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Ta） 100W（Tc） TO-220SM
  
  型号：2SK3068(TE24L,Q)
  仓库库存编号：2SK3068(TE24L,Q)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 18A（Tc） 3.75W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM18N25-165-E3
  仓库库存编号：SUM18N25-165-E3CT-ND
  别名：SUM18N25-165-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RDX120N50FU6
  仓库库存编号：RDX120N50FU6-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 71A（Tc） 70W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8876
  仓库库存编号：FDB8876-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 70A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 70A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8876
  仓库库存编号：FDP8876-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 8.4A（Tc） 220W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA8N80C_F109
  仓库库存编号：FQA8N80C_F109-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7718DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7718DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7718DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7784DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7784DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7784DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 23.1A（Tc） 3.1W（Ta），5.6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4660DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4660DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4660DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 6.3A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7120DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7120DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7120DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
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