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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.85A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD2NK100Z
  仓库库存编号：497-7964-1-ND
  别名：497-7964-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：NTMD4N03R2G
  仓库库存编号：NTMD4N03R2GOSCT-ND
  别名：NTMD4N03R2GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4807
  仓库库存编号：785-1057-1-ND
  别名：785-1057-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3A 1.13W, 1.2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4532ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4532ADY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4532ADY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF520PBF
  仓库库存编号：IRF520PBF-ND
  别名：*IRF520PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 61A LL LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 61A（Tc） 48W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN7R0-30YLC,115
  仓库库存编号：1727-5909-1-ND
  别名：1727-5909-1
  568-7589-1
  568-7589-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4449
  仓库库存编号：785-1199-1-ND
  别名：785-1199-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6954ADQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6954ADQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6954ADQ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 49W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUF76609D3ST
  仓库库存编号：HUF76609D3STFSCT-ND
  别名：HUF76609D3STFSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120TRPBF
  仓库库存编号：IRFR120TRPBFCT-ND
  别名：IRFR120TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Tc） 54W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD5N60TM
  仓库库存编号：FCD5N60TMCT-ND
  别名：FCD5N60TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK7P60W5,RVQ
  仓库库存编号：TK7P60W5RVQCT-ND
  别名：TK7P60W5RVQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD120PBF
  仓库库存编号：IRFD120PBF-ND
  别名：*IRFD120PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK6A60D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK6A60DSTA4QM-ND
  别名：TK6A60DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6954ADQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6954ADQ-T1-E3CT-ND
  别名：SI6954ADQ-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.6W（Ta），32W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH14006NH,L1Q
  仓库库存编号：TPH14006NHL1QCT-ND
  别名：TPH14006NHL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120PBF
  仓库库存编号：IRFR120PBF-ND
  别名：*IRFR120PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU120PBF
  仓库库存编号：IRFU120PBF-ND
  别名：*IRFU120PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD123PBF
  仓库库存编号：IRFD123PBF-ND
  别名：*IRFD123PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.2A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI520GPBF
  仓库库存编号：IRFI520GPBF-ND
  别名：*IRFI520GPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 250V IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 72W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU7NF25
  仓库库存编号：497-13980-5-ND
  别名：497-13980-5
  STU7NF25-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.3A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Ta），37A（Tc） 810mW（Ta），20.8W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4928NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4928NTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS4928NTAGOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 85W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU12N60M2
  仓库库存编号：497-16024-5-ND
  别名：497-16024-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI12N60M2
  仓库库存编号：497-16015-5-ND
  别名：497-16015-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 42A（Tc） 65.2W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SUD80460E-GE3
  仓库库存编号：SUD80460E-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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