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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3L
  
  型号：AO3407A
  仓库库存编号：785-1006-1-ND
  别名：785-1006-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD13N10TM
  仓库库存编号：FQD13N10TMCT-ND
  别名：FQD13N10TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD10N20LZTM
  仓库库存编号：FDD10N20LZTMCT-ND
  别名：FDD10N20LZTMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1W（Ta），23W（Tc） TP-FA
  
  型号：SFT1446-TL-H
  仓库库存编号：SFT1446-TL-HOSCT-ND
  别名：SFT1446-TL-HOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.6A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRFU220BTU_AM002
  仓库库存编号：IRFU220BTU_AM002-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta），27A（Tc） 3.1W（Ta），89W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD86252
  仓库库存编号：FDD86252CT-ND
  别名：FDD86252CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 56W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD7N25LZTM
  仓库库存编号：FDD7N25LZTMCT-ND
  别名：FDD7N25LZTMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Tc） 54W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD5N60TM_WS
  仓库库存编号：FCD5N60TM_WSCT-ND
  别名：FCD5N60TM_WSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 1W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS86267P
  仓库库存编号：FDS86267PCT-ND
  别名：FDS86267PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS8958A_F085
  仓库库存编号：FDS8958A_F085CT-ND
  别名：FDS8958A_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 7A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），16A（Tc） 2.5W（Ta），73W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86104
  仓库库存编号：FDMS86104CT-ND
  别名：FDMS86104CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.6W（Ta） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：IRFHM9391TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM9391TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM9391TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），37W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ036NE2LS
  仓库库存编号：BSZ036NE2LSCT-ND
  别名：BSZ036NE2LSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12.8A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP13N10
  仓库库存编号：FQP13N10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK7A60W5,S5VX
  仓库库存编号：TK7A60W5S5VX-ND
  别名：TK7A60W5,S5VX(M
  TK7A60W5S5VX
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 25W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK30A06N1,S4X
  仓库库存编号：TK30A06N1S4X-ND
  别名：TK30A06N1,S4X(S
  TK30A06N1,S4X-ND
  TK30A06N1S4X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 43A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Ta） 53W（Tc） TO-220
  
  型号：TK30E06N1,S1X
  仓库库存编号：TK30E06N1S1X-ND
  别名：TK30E06N1,S1X(S
  TK30E06N1S1X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP02N80C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP02N80C3XKSA1-ND
  别名：SP000683150
  SPP02N80C3
  SPP02N80C3IN
  SPP02N80C3IN-ND
  SPP02N80C3X
  SPP02N80C3XK
  SPP02N80C3XTIN
  SPP02N80C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 30.5W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA02N80C3
  仓库库存编号：SPA02N80C3IN-ND
  别名：SP000216295
  SPA02N80C3IN
  SPA02N80C3XK
  SPA02N80C3XKSA1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 9A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF12N60M2
  仓库库存编号：497-16012-5-ND
  别名：497-16012-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 9A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 85W（Tc） TO-220
  
  型号：STP12N60M2
  仓库库存编号：497-16020-5-ND
  别名：497-16020-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 500 V, 0.299 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF12N50DM2
  仓库库存编号：497-16346-5-ND
  别名：497-16346-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7.8A（Ta） 80W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK8Q65W,S1Q
  仓库库存编号：TK8Q65WS1Q-ND
  别名：TK8Q65W,S1Q(S
  TK8Q65WS1Q
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7.8A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A65W,S5X
  仓库库存编号：TK8A65WS5X-ND
  别名：TK8A65W,S5X(M
  TK8A65WS5X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.9A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.9A（Ta），38A（Tc） 920mW（Ta），20.8W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4927NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4927NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4927NT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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