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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4411
  仓库库存编号：785-1284-1-ND
  别名：785-1284-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 60V 24A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 29W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKI06269
  仓库库存编号：FKI06269-ND
  别名：FKI06269 DK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 3.9W（Ta），15.6W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR412DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR412DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR412DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD12N60M2
  仓库库存编号：497-16033-1-ND
  别名：497-16033-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL12N60M2
  仓库库存编号：497-16039-1-ND
  别名：497-16039-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04P10PLGBTMA1
  仓库库存编号：SPD04P10PLGBTMA1CT-ND
  别名：SPD04P10PL GCT
  SPD04P10PL GCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N80C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD02N80C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD02N80C3ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），82A（Tc） 2.5W（Ta），29W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC026NE2LS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC026NE2LS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC026NE2LS5ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 82A（Tj） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN013-100YSEX
  仓库库存编号：1727-1129-1-ND
  别名：1727-1129-1
  568-10284-1
  568-10284-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1.85A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP2NK100Z
  仓库库存编号：497-7518-5-ND
  别名：497-7518-5
  STP2NK100Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.6A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2319ADS-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2319ADS-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2319ADS-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF520SPBF
  仓库库存编号：IRF520SPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 500 V, 0.35 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD12N50DM2
  仓库库存编号：497-16347-1-ND
  别名：497-16347-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 3.2W（Ta），22W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5826NLTWG
  仓库库存编号：NVTFS5826NLTWGOSCT-ND
  别名：NVTFS5826NLTWGOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 10A TP-FA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1W（Ta），52W（Tc） DPAK/TP-FA
  
  型号：NDDP010N25AZT4H
  仓库库存编号：NDDP010N25AZT4HOSCT-ND
  别名：NDDP010N25AZT4HOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 250V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 72W（Tc） DPAK
  
  型号：STD8NF25
  仓库库存编号：497-13090-1-ND
  别名：497-13090-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3A 1.13W, 1.2W Surface Mount
  
  型号：SI4532ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4532ADY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4532ADY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.85A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU2NK100Z
  仓库库存编号：497-12694-5-ND
  别名：497-12694-5
  STU2NK100Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 41.7W（Tc） ITO-220S
  
  型号：TSM60NB600CF C0G
  仓库库存编号：TSM60NB600CF C0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 4A SC59
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1.1W（Ta） SC-59
  
  型号：DMG3407SSN-7
  仓库库存编号：DMG3407SSN-7DI-ND
  别名：DMG3407SSN-7DI
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 60V 25A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 32W（Tc） TO-252
  
  型号：DKI06261
  仓库库存编号：DKI06261CT-ND
  别名：DKI06261CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 3.1W（Ta），40W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：GKI06259
  仓库库存编号：GKI06259CT-ND
  别名：GKI06259CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 6.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4459
  仓库库存编号：785-1036-2-ND
  别名：785-1036-2
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 900V 2.4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF3N90
  仓库库存编号：AOTF3N90-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 1W（Ta），52W（Tc） IPAK/TP
  
  型号：NDDP010N25AZ-1H
  仓库库存编号：NDDP010N25AZ-1HOS-ND
  别名：NDDP010N25AZ-1HOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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