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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：NVMD4N03R2G
  仓库库存编号：NVMD4N03R2G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 3.2W（Ta），22W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5826NLWFTWG
  仓库库存编号：NVTFS5826NLWFTWG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2W（Ta）, 57W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5824NLTWG
  仓库库存编号：NVTFS5824NLTWG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2W（Ta）, 57W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5824NLWFTWG
  仓库库存编号：NVTFS5824NLWFTWG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 300V 11.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 36W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF12N30
  仓库库存编号：785-1385-5-ND
  别名：785-1385-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 3.2W（Ta），22W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5826NLWFTAG
  仓库库存编号：NVTFS5826NLWFTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 400V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 132W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT9N40L
  仓库库存编号：785-1417-5-ND
  别名：785-1417-5
  AOT9N40
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2W（Ta）, 57W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5824NLTAG
  仓库库存编号：NVTFS5824NLTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2W（Ta）, 57W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5824NLWFTAG
  仓库库存编号：NVTFS5824NLWFTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 300V 11.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 132W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT12N30L
  仓库库存编号：785-1409-5-ND
  别名：785-1409-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 300V 11.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Tc） 150W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD468
  仓库库存编号：785-1354-1-ND
  别名：785-1354-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 300V 11.5A TO252
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 150W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI468
  仓库库存编号：785-1387-5-ND
  别名：785-1387-1
  785-1387-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 400V 8A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD9N40
  仓库库存编号：785-1386-1-ND
  别名：785-1386-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR120LPBFTR-ND
  别名：IRFR120LPBFTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120TRRPBF
  仓库库存编号：IRFR120TRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK8A50D(STA4QM)
  TK8A50DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 54W（Tc） I-Pak
  
  型号：FCU5N60TU
  仓库库存编号：FCU5N60TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A60D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK5A60D(STA4QM)-ND
  别名：TK5A60D(STA4QM)
  TK5A60DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A65DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK5A65DA(STA4QM)-ND
  别名：TK5A65DA(STA4QM)
  TK5A65DASTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK7A55D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK7A55D(STA4QM)-ND
  别名：TK7A55D(STA4QM)
  TK7A55DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A45D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A45D(STA4QM)-ND
  别名：TK8A45D(STA4QM)
  TK8A45DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A50DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A50DA(STA4QM)-ND
  别名：TK8A50DA(STA4QM)
  TK8A50DASTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A65D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK5A65D(STA4QM)-ND
  别名：TK5A65D(STA4QM)
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 100V 7A 2.1W Surface Mount 8-PQFN (3.3x5)
  
  型号：FDMD84100
  仓库库存编号：FDMD84100CT-ND
  别名：FDMD84100CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 9A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK9A45D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK9A45D(STA4QM)-ND
  别名：TK9A45D(STA4QM)
  TK9A45DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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