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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 7.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A55DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A55DA(STA4QM)-ND
  别名：TK8A55DA(STA4QM)
  TK8A55DASTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 22A（Ta），84A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC032NE2LSATMA1
  仓库库存编号：BSC032NE2LSATMA1CT-ND
  别名：BSC032NE2LSCT
  BSC032NE2LSCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU03N60S5BKMA1
  仓库库存编号：SPU03N60S5BKMA1-ND
  别名：SP000012423
  SPU03N60S5
  SPU03N60S5-ND
  SPU03N60S5IN
  SPU03N60S5IN-ND
  SPU03N60S5X
  SPU03N60S5XK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD120
  仓库库存编号：IRFD120-ND
  别名：*IRFD120
  IRFD121
  IRFD122
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF520
  仓库库存编号：IRF520IR-ND
  别名：*IRF520
  IRF520IR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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  含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120
  仓库库存编号：IRFR120IR-ND
  别名：*IRFR120
  IRFR120IR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120TR
  仓库库存编号：IRFR120TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120TRL
  仓库库存编号：IRFR120TRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU120
  仓库库存编号：IRFU120IR-ND
  别名：*IRFU120
  IRFU120IR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI620G
  仓库库存编号：IRLI620G-ND
  别名：*IRLI620G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF520S
  仓库库存编号：IRF520S-ND
  别名：*IRF520S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF520STRL
  仓库库存编号：IRF520STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.2A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF520STRR
  仓库库存编号：IRF520STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.2A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI520G
  仓库库存编号：IRFI520G-ND
  别名：*IRFI520G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120TRR
  仓库库存编号：IRFR120TRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：MMDF2C03HDR2
  仓库库存编号：MMDF2C03HDR2OSCT-ND
  别名：MMDF2C03HDR2OSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI620GPBF
  仓库库存编号：IRLI620GPBF-ND
  别名：*IRLI620GPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS8958A
  仓库库存编号：FDS8958ACT-ND
  别名：FDS8958ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU13N10TU
  仓库库存编号：FQU13N10TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF13N10
  仓库库存编号：FQPF13N10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD13N10TF
  仓库库存编号：FQD13N10TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 12.8A（Tc） 3.75W（Ta），65W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB13N10TM
  仓库库存编号：FQB13N10TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 49W（Tc） D-Pak
  
  型号：HUF76609D3S
  仓库库存编号：HUF76609D3S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10A（Tc） 49W（Tc） TO-251AA
  
  型号：HUFA76609D3
  仓库库存编号：HUFA76609D3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 49W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUFA76609D3S
  仓库库存编号：HUFA76609D3S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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