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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 6.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4459L
  仓库库存编号：AO4459L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AO4807_101
  仓库库存编号：AO4807_101-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AO4807L
  仓库库存编号：AO4807L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 20A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 20A（Ta） 39.5W（Tc） TO-252
  
  型号：SUD50N02-09P-GE3
  仓库库存编号：SUD50N02-09P-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP03N60S5HKSA1
  仓库库存编号：SPP03N60S5HKSA1-ND
  别名：SPP03N60S5
  SPP03N60S5IN
  SPP03N60S5IN-ND
  SPP03N60S5X
  SPP03N60S5XTIN
  SPP03N60S5XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP50CN10NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP50CN10NGXKSA1-ND
  别名：IPP50CN10N G
  IPP50CN10N G-ND
  IPP50CN10NGHKSA1
  IPP50CN10NGIN
  IPP50CN10NGIN-ND
  IPP50CN10NGX
  IPP50CN10NGXK
  SP000096474
  SP000680930
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB03N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB03N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB03N60S5INCT
  SPB03N60S5INCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N80C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD02N80C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD02N80C3INCT
  SPD02N80C3INCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD03N60S5BTMA1
  仓库库存编号：SPD03N60S5BTMA1CT-ND
  别名：SPD03N60S5INCT
  SPD03N60S5INCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB50CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPB50CN10NGATMA1TR-ND
  别名：IPB50CN10N G
  IPB50CN10N G-ND
  SP000277696
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD49CN10N G
  仓库库存编号：IPD49CN10N G-ND
  别名：SP000096459
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI50CN10NGHKSA1
  仓库库存编号：IPI50CN10NGHKSA1-ND
  别名：IPI50CN10N G
  IPI50CN10N G-ND
  SP000208937
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），40A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRFHM831TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHM831TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHM831TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），45A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC889N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC889N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC889N03LS GCT
  BSC889N03LS GCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 10V,
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