品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI9933CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI9933CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI9933CDY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI9933CDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI9933CDY-T1-E3CT-ND
别名:SI9933CDY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF530PBF
仓库库存编号:
IRF530PBF-ND
别名:*IRF530PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 8A CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 3.5W(Ta),10.9W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5459DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5459DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5459DU-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 5W(Ta),37.9W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7686DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7686DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7686DP-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 8-PowerPair?
型号:
SIZ914DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ914DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ914DT-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7956DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7956DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7956DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 9.7A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z20PBF
仓库库存编号:
IRF9Z20PBF-ND
别名:*IRF9Z20PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.2A(Tc) 3W(Ta),5.2W(Tc) 8-SO
型号:
SI4686DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4686DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4686DY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF530STRLPBF
仓库库存编号:
IRF530STRLPBFCT-ND
别名:IRF530STRLPBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A 22W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7272DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7272DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7272DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
型号:
SIZ916DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ916DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ916DT-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A, 30A 22W, 40W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7998DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7998DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7998DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair?
型号:
SIZ728DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ728DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ728DT-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 5W(Ta),37.9W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7686DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7686DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7686DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 330mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1079X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1079X-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ844AEP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ844AEP-T1_GE3-ND
别名:SQJ844AEP-T1-GE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.6W, 2.8W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4276DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4276DY-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18.2A(Tc) 3W(Ta),5.2W(Tc) 8-SO
型号:
SI4686DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4686DY-T1-GE3TR-ND
别名:SI4686DY-T1-GE3TR
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRF530STRRPBF
仓库库存编号:
IRF530STRRPBFCT-ND
别名:IRF530STRRPBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 9.7A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z20
仓库库存编号:
IRF9Z20-ND
别名:*IRF9Z20
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7956DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7956DP-T1-E3TR-ND
别名:SI7956DP-T1-E3TR
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 14A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF530
仓库库存编号:
IRF530IR-ND
别名:*IRF530
IRF530IR
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 14A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF530S
仓库库存编号:
IRF530S-ND
别名:*IRF530S
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 14A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF530STRR
仓库库存编号:
IRF530STRR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
含铅
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