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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9520SPBF
  仓库库存编号：IRF9520SPBF-ND
  别名：*IRF9520SPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 4.8A 1.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMN4034SSD-13
  仓库库存编号：DMN4034SSD-13CT-ND
  别名：DMN4034SSD-13CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN13008NH,L1Q
  仓库库存编号：TPN13008NHL1QCT-ND
  别名：TPN13008NHL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A PWR33
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12A, 16A 800mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)
  
  型号：FDMC7208S
  仓库库存编号：FDMC7208SCT-ND
  别名：FDMC7208SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 104W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT4N60
  仓库库存编号：785-1187-5-ND
  别名：785-1187-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 5.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9120PBF
  仓库库存编号：IRFU9120PBF-ND
  别名：*IRFU9120PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），48A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC090N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC090N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC090N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC090N03LSGINCT
  BSC090N03LSGINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9120TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR9120TRLPBFCT-ND
  别名：IRFR9120TRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ710DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ710DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ710DT-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFUC20PBF
  仓库库存编号：IRFUC20PBF-ND
  别名：*IRFUC20PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFDC20PBF
  仓库库存编号：IRFDC20PBF-ND
  别名：*IRFDC20PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF7NM80
  仓库库存编号：497-16444-ND
  别名：497-16444
  STF7NM80-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 60V ECH8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 4.7A, 3.5A 1.5W Surface Mount 8-ECH
  
  型号：ECH8690-TL-H
  仓库库存编号：ECH8690-TL-HOSCT-ND
  别名：ECH8690-TL-HOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual Asymmetric
  
  型号：SQJ200EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ200EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ200EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.6W（Ta）, 55W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C456NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C456NLT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5C456NLT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：AOTF4N60L
  仓库库存编号：785-1790-ND
  别名：785-1790
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5A（Tc） 96W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD5NM60T4
  仓库库存编号：497-3163-1-ND
  别名：497-3163-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB8NM60D
  仓库库存编号：497-5244-1-ND
  别名：497-5244-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） 90W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD7NM80-1
  仓库库存编号：497-12787-5-ND
  别名：497-12787-5
  STD7NM80-1-ND
  STD7NM801
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） 90W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP7NM80
  仓库库存编号：497-8813-5-ND
  别名：497-8813-5
  STP7NM80-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A 8TDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 42W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：IPC50N04S55R8ATMA1
  仓库库存编号：IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND
  别名：IPC50N04S55R8ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 9A 8-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），25A（Tc） 3.1W（Ta），15.5W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7406
  仓库库存编号：785-1137-1-ND
  别名：785-1137-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8A 6-SSOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），8A（Tc） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC8878
  仓库库存编号：FDC8878CT-ND
  别名：FDC8878CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4778DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4778DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4778DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 20V 7.3A/5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4622
  仓库库存编号：785-1046-1-ND
  别名：785-1046-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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