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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4822A
  仓库库存编号：785-1060-1-ND
  别名：785-1060-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-ECH
  
  型号：ECH8315-TL-H
  仓库库存编号：ECH8315-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4778DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4778DY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF4N60
  仓库库存编号：AOTF4N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Ta） 630mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
  
  型号：NTLUS4C12NTAG
  仓库库存编号：NTLUS4C12NTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Ta） 630mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
  
  型号：NTLUS4C12NTBG
  仓库库存编号：NTLUS4C12NTBG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10.7A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Ta） 630mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
  
  型号：NVLUS4C12NTAG
  仓库库存编号：NVLUS4C12NTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 70V 3.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 2.11W（Ta） TO-252
  
  型号：ZXMP7A17KQTC
  仓库库存编号：ZXMP7A17KQTCDI-ND
  别名：ZXMP7A17KQTCDI
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta）, 55W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C456NLT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C456NLT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4670DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4670DY-T1-GE3TR-ND
  别名：SI4670DY-T1-GE3TR
  SI4670DYT1GE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta）, 55W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C456NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C456NLT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta）, 55W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C456NLWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C456NLWFT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 38W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK20S04K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK20S04K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK20S04K3L(T6L1NQ
  TK20S04K3LT6L1NQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 20A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 38W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK20S06K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK20S06K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK20S06K3L(T6L1NQ
  TK20S06K3LT6L1NQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：RSD150N06TL
  仓库库存编号：RSD150N06TL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 104W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF730BPBF
  仓库库存编号：IRF730BPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 104W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP6N40D-GE3
  仓库库存编号：SIHP6N40D-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4C60
  仓库库存编号：AOD4C60-ND
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 22A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 1.2W（Ta），45W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP22N055SHE-E1-AY
  仓库库存编号：NP22N055SHE-E1-AY-ND
  
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta）, 55W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C456NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C456NLWFT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 6A（Tc） 30W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF6N40D-E3
  仓库库存编号：SIHF6N40D-E3-ND
  别名：SIHF6N40DE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 6.5A（Tc） 90W（Tc） DPAK
  
  型号：FDD8N50NZTM
  仓库库存编号：FDD8N50NZTMTUBE-ND
  别名：FDD8N50NZTMTUBE
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  CONSUMER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R280P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R280P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD60R280P7SAUMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 8.2A（Tc） 94W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD60N550U1T4G
  仓库库存编号：NDD60N550U1T4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 6A（Tc） 104W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP6N40D-E3
  仓库库存编号：SIHP6N40D-E3-ND
  别名：SIHP6N40DE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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