以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  LOW POWER_NEW
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R280P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R280P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R280P7ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.2A（Tc） 94W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：NDD60N550U1-1G
  仓库库存编号：NDD60N550U1-1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.2A（Tc） 94W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：NDD60N550U1-35G
  仓库库存编号：NDD60N550U1-35G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9520STRLPBF
  仓库库存编号：IRF9520STRLPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9520STRRPBF
  仓库库存编号：IRF9520STRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBC20GPBF
  仓库库存编号：IRFIBC20GPBF-ND
  别名：*IRFIBC20GPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC20STRLPBF
  仓库库存编号：IRFBC20STRLPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 24W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R280P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R280P7SXKSA1-ND
  别名：SP001658160
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 24W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAW60R280P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPAW60R280P7SXKSA1-ND
  别名：SP001658180
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 24W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001658302
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001647026
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 100W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA2N100
  仓库库存编号：IXTA2N100-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD25N06S240ATMA2
  仓库库存编号：IPD25N06S240ATMA2-ND
  别名：SP001063628
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD075N03LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD075N03LGBTMA1-ND
  别名：SP000249747
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 19A（Ta） 2.8W（Ta），34W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：IRFHM8228TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM8228TRPBFTR-ND
  别名：IRFHM8228TRPBFTR
  SP001556578
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 41W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N04S412ATMA1
  仓库库存编号：IPG20N04S412ATMA1-ND
  别名：SP000705560
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 41W Surface Mount PG-TDSON-8-10
  
  型号：IPG20N04S412AATMA1
  仓库库存编号：IPG20N04S412AATMA1-ND
  别名：SP000938098
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 8A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP8NM60
  仓库库存编号：497-5397-5-ND
  别名：497-5397-5
  STP8NM60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP20NF06
  仓库库存编号：497-4374-5-ND
  别名：497-4374-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Tc） 28W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF20NF06
  仓库库存编号：497-4340-5-ND
  别名：497-4340-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 8A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP8NM60FP
  仓库库存编号：STP8NM60FP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP8NM60D
  仓库库存编号：497-6194-5-ND
  别名：497-6194-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 250V 13A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 14A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP16NF25
  仓库库存编号：497-7509-5-ND
  别名：497-7509-5
  STP16NF25-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 2.5A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP3NK100Z
  仓库库存编号：497-7524-5-ND
  别名：497-7524-5
  STP3NK100Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9120
  仓库库存编号：IRFD9120-ND
  别名：*IRFD9120
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索