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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9520
仓库库存编号:
IRF9520-ND
别名:*IRF9520
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC20
仓库库存编号:
IRFBC20-ND
别名:*IRFBC20
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120
仓库库存编号:
IRFR9120-ND
别名:*IRFR9120
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520S
仓库库存编号:
IRF9520S-ND
别名:*IRF9520S
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520STRL
仓库库存编号:
IRF9520STRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 320mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFDC20
仓库库存编号:
IRFDC20-ND
别名:*IRFDC20
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.7A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC20G
仓库库存编号:
IRFIBC20G-ND
别名:*IRFIBC20G
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120TR
仓库库存编号:
IRFR9120TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120TRL
仓库库存编号:
IRFR9120TRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFRC20
仓库库存编号:
IRFRC20-ND
别名:*IRFRC20
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFRC20TR
仓库库存编号:
IRFRC20TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 100V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9120
仓库库存编号:
IRFU9120-ND
别名:*IRFU9120
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 5.2A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9520G
仓库库存编号:
IRFI9520G-ND
别名:*IRFI9520G
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC20S
仓库库存编号:
IRFBC20S-ND
别名:*IRFBC20S
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFUC20
仓库库存编号:
IRFUC20-ND
别名:*IRFUC20
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC20L
仓库库存编号:
IRFBC20L-ND
别名:*IRFBC20L
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.8A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9520L
仓库库存编号:
IRF9520L-ND
别名:*IRF9520L
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520STRR
仓库库存编号:
IRF9520STRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC20STRL
仓库库存编号:
IRFBC20STRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC20STRR
仓库库存编号:
IRFBC20STRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120TRR
仓库库存编号:
IRFR9120TRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFRC20TRL
仓库库存编号:
IRFRC20TRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFRC20TRR
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IRFRC20TRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4.6A(Tc) 50W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU220_R4941
仓库库存编号:
IRFU220FS-ND
别名:IRFU220_R4941-ND
IRFU220FS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFBC20LPBF
仓库库存编号:
IRFBC20LPBF-ND
别名:*IRFBC20LPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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