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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.4A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS3812
  仓库库存编号：FDS3812-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU10N20TU
  仓库库存编号：FQU10N20TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 10A（Tc） 87W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP10N20
  仓库库存编号：FQP10N20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD10N20TF
  仓库库存编号：FQD10N20TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD10N20TM
  仓库库存编号：FQD10N20TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 6.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 6.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF10N20
  仓库库存编号：FQPF10N20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 10A（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB10N20TM
  仓库库存编号：FQB10N20TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 35A（Tc） 39W（Tc） TO-251
  
  型号：FDU8778
  仓库库存编号：FDU8778-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：MMDF3N02HDR2
  仓库库存编号：MMDF3N02HDR2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3424DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3424DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3424DV-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 950mA（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3475DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3475DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3475DV-T1-E3CT
  SI3475DVT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 20V 25A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 25A（Tc） 2.1W（Ta），33.3W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD476
  仓库库存编号：785-1112-1-ND
  别名：785-1112-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 49A 8ULTRASO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.4A（Ta），49A（Tc） 2.2W（Ta），43W（Tc） UltraSO-8?
  
  型号：AOL1428
  仓库库存编号：785-1125-1-ND
  别名：785-1125-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 3A 6-SSOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 3A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC3512_F095
  仓库库存编号：FDC3512_F095-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4952DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4952DY-T1-GE3TR-ND
  别名：SI4952DY-T1-GE3TR
  SI4952DYT1GE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU10N20TU_AM002
  仓库库存编号：FQU10N20TU_AM002-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 3.8A（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR224BTM_TC002
  仓库库存编号：IRFR224BTM_TC002-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.3A（Tc） 2.5W（Ta），41W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR420BTM
  仓库库存编号：IRFR420BTM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：MMDF3N02HDR2G
  仓库库存编号：MMDF3N02HDR2GOSCT-ND
  别名：MMDF3N02HDR2GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 27W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF03N60ZG
  仓库库存编号：NDF03N60ZGOS-ND
  别名：NDF03N60ZG-ND
  NDF03N60ZGOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 950mA（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3475DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3475DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3475DV-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 1A HEXDIP
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 1A（Ta） 4-HVMDIP
  
  型号：IRFD9123PBF
  仓库库存编号：IRFD9123PBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3424DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3424DV-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4952DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4952DY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2.5W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：FW707-TL-E
  仓库库存编号：FW707-TL-E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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