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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 40.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF8N50NZT
  仓库库存编号：FDPF8N50NZT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 27W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF03N60ZH
  仓库库存编号：NDF03N60ZH-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 20V 25A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 25A（Tc） 2.5W（Ta），33W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4120
  仓库库存编号：AOD4120-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 11A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta），57A（Tc） 2.3W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD496A
  仓库库存编号：AOD496A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 11A 8ULTRASO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta），36A（Tc） 2W（Ta），30W（Tc） UltraSO-8?
  
  型号：AOL1448
  仓库库存编号：AOL1448-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 17A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 17A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI514
  仓库库存编号：785-1690-5-ND
  别名：785-1690-5
  AOI514-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 6A（Tc） 800mW（Tc） TO-39
  
  型号：JAN2N6788
  仓库库存编号：JAN2N6788-ND
  别名：JAN2N6788-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 18-LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JAN2N6788U
  仓库库存编号：JAN2N6788U-ND
  别名：JAN2N6788U-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 6A（Tc） 800mW（Tc） TO-39
  
  型号：JANTX2N6788
  仓库库存编号：JANTX2N6788-ND
  别名：JANTX2N6788-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 18-LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JANTX2N6788U
  仓库库存编号：JANTX2N6788U-ND
  别名：JANTX2N6788U-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 6A
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 6A（Tc） 800mW（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：JANTXV2N6788
  仓库库存编号：JANTXV2N6788-ND
  别名：JANTXV2N6788-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 4.5A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JANTXV2N6788U
  仓库库存编号：JANTXV2N6788U-ND
  别名：JANTXV2N6788U-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V TO-205AF
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 6A（Tc） 800mW（Tc） TO-39
  
  型号：2N6788
  仓库库存编号：2N6788-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 18LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6788U
  仓库库存编号：2N6788U-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 1A（Ta） 4-HVMDIP
  
  型号：IRFD9123
  仓库库存编号：IRFD9123-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 3.8W（Ta），50W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS334DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS334DN-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 125W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI4C60
  仓库库存编号：785-1648-5-ND
  别名：785-1648-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 18A（Tc） 94W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M018A020CG
  仓库库存编号：GP1M018A020CG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 30.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M018A020FG
  仓库库存编号：GP1M018A020FG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 18A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 94W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M018A020HG
  仓库库存编号：1560-1189-5-ND
  别名：1560-1189-1
  1560-1189-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 17A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-251B
  
  型号：AOY514
  仓库库存编号：AOY514-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 17A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-251B
  
  型号：AOY528
  仓库库存编号：AOY528-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 8A, 7A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AO4616L_102
  仓库库存编号：AO4616L_102-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AO4818BL_101
  仓库库存编号：AO4818BL_101-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 8A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AO4818L
  仓库库存编号：AO4818L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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