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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 48A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 48A（Tc） 462W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH48P20P
  仓库库存编号：IXTH48P20P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 20A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Tc） 460W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT20P50P
  仓库库存编号：IXTT20P50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 20A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 20A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH20P50P
  仓库库存编号：IXTH20P50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 48A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 48A（Tc） 462W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT48P20P
  仓库库存编号：IXTT48P20P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V SOT78
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN3R9-60PSQ
  仓库库存编号：1727-1133-ND
  别名：1727-1133
  568-10288-5
  568-10288-5-ND
  934067464127
  PSMN3R9-60PSQ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12.7A（Ta），42A（Tc） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP2010UFG-7
  仓库库存编号：DMP2010UFG-7DICT-ND
  别名：DMP2010UFG-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 1W（Ta），170W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPHR8504PL,L1Q
  仓库库存编号：TPHR8504PLL1QCT-ND
  别名：TPHR8504PLL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 1W（Ta），170W（Tc） 8-DSOP Advance
  
  型号：TPWR8004PL,L1Q
  仓库库存编号：TPWR8004PLL1QCT-ND
  别名：TPWR8004PLL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 357W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXTA80N075L2
  仓库库存编号：IXTA80N075L2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 30A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR48P20P
  仓库库存编号：IXTR48P20P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 130A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 4.8W（Ta）, 135W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL135N8F7AG
  仓库库存编号：497-16318-1-ND
  别名：497-16318-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 357W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP80N075L2
  仓库库存编号：IXTP80N075L2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
• 不受无铅要求限制
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK763R9-60E,118
  仓库库存编号：1727-1066-1-ND
  别名：1727-1066-1
  568-10176-1
  568-10176-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 80A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTH80N075L2
  仓库库存编号：IXTH80N075L2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 500V 13A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR20P50P
  仓库库存编号：IXTR20P50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 12A（Tc） 543W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH12N120P
  仓库库存编号：IXFH12N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 12A（Tc） 543W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV12N120P
  仓库库存编号：IXFV12N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 12A（Tc） 543W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV12N120PS
  仓库库存编号：IXFV12N120PS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP20N60S5
  仓库库存编号：SPP20N60S5IN-ND
  别名：SPP20N60S5BKSA1
  SPP20N60S5IN
  SPP20N60S5X
  SPP20N60S5XTIN
  SPP20N60S5XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW20N60S5FKSA1
  仓库库存编号：SPW20N60S5FKSA1-ND
  别名：SPW20N60S5
  SPW20N60S5IN
  SPW20N60S5IN-ND
  SPW20N60S5X
  SPW20N60S5XTIN
  SPW20N60S5XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 77A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB77N06S3-09
  仓库库存编号：IPB77N06S3-09-ND
  别名：IPB77N06S309XT
  SP000088715
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 77A（Tc） 107W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI77N06S3-09
  仓库库存编号：IPI77N06S3-09IN-ND
  别名：IPI77N06S3-09-ND
  IPI77N06S3-09IN
  IPI77N06S309X
  IPI77N06S309XK
  SP000088716
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 77A（Tc） 107W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP77N06S3-09
  仓库库存编号：IPP77N06S3-09IN-ND
  别名：IPP77N06S3-09-ND
  IPP77N06S3-09IN
  IPP77N06S309X
  IPP77N06S309XK
  SP000088717
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB20N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB20N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB20N60S5INCT
  SPB20N60S5INCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 55W（Tc） TO-220F
  
  型号：PSMN3R9-60XSQ
  仓库库存编号：568-11430-5-ND
  别名：568-11430-5
  934068135127
  PSMN3R9-60XSQ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V,
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