品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 43A(Tc) 71W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR3806TRL
仓库库存编号:
AUIRFR3806TRL-ND
别名:SP001521230
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9A(Ta),40A(Tc) 2.2W(Ta),43W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF134N10NJ3 G
仓库库存编号:
BSF134N10NJ3 GCT-ND
别名:BSF134N10NJ3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 43A(Tc) 71W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRFB3806
仓库库存编号:
AUIRFB3806-ND
别名:SP001522276
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 43A(Tc) 71W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS3806TRL
仓库库存编号:
AUIRFS3806TRL-ND
别名:SP001516146
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 13A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 13A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAN80R360P7XKSA1
仓库库存编号:
IPAN80R360P7XKSA1-ND
别名:SP001702158
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 28A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ34E
仓库库存编号:
IRFZ34E-ND
别名:*IRFZ34E
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 28A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ34EPBF
仓库库存编号:
IRFZ34EPBF-ND
别名:*IRFZ34EPBF
SP001567916
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 3.44A(Ta) 2.5W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO613SPV
仓库库存编号:
BSO613SPV-ND
别名:BSO613SPVT
SP000012847
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 43A(Tc) 71W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3806PBF
仓库库存编号:
IRFU3806PBF-ND
别名:SP001552424
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.8A(Ta),20A(Tc) 3.6W(Ta),8.3W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5220TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5220TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5220TR2PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 45A(Tc) 45W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB45N04S4L08ATMA1
仓库库存编号:
IPB45N04S4L08ATMA1TR-ND
别名:IPB45N04S4L-08
IPB45N04S4L-08-ND
SP000711444
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 43A(Tc) 71W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR3806
仓库库存编号:
AUIRFR3806-ND
别名:SP001518142
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 43A(Tc) 71W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS3806
仓库库存编号:
AUIRFS3806-ND
别名:SP001518108
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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