品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 4.8W(Ta),41.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR850DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR850DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR850DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9A SC70
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Tc) 2.9W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA459EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA459EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA459EDJ-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.9A(Tc) 2.1W(Ta),41.7W(Tc) TO-252
型号:
SUD20N10-66L-GE3
仓库库存编号:
SUD20N10-66L-GE3CT-ND
别名:SUD20N10-66L-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA60EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA60EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA60EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJB42EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJB42EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJB42EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5446DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5446DU-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 3.5W(Ta),28W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS472DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS472DN-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 23A (Tc) 34W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ956EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ956EP-T1_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS424DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS424DN-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) 147W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP10N40D-GE3
仓库库存编号:
SIHP10N40D-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7.5A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC
型号:
SQ4949EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4949EY-T1_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 4.4W Surface Mount 8-SO
型号:
SQ4920EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4920EY-T1_GE3-ND
别名:SQ4920EY-T1-GE3
SQ4920EY-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 8.7A(Tc) 156W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB8N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHB8N50D-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 10A(Tc) 147W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB10N40D-GE3
仓库库存编号:
SIHB10N40D-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 6A 20.8W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7905DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7905DN-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7454DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7454DP-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50V 30A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ30
仓库库存编号:
IRFZ30-ND
别名:*IRFZ30
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50V 30A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ30PBF
仓库库存编号:
IRFZ30PBF-ND
别名:*IRFZ30PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.3A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4418DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4418DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4418DY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.8A(Ta) 1.8W(Ta) 8-SO
型号:
SI4484EY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4484EY-T1-E3CT-ND
别名:SI4484EY-T1-E3CT
SI4484EYT1E3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7462DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7462DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7462DP-T1-E3CT
SI7462DPT1E3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.3A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4418DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4418DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4418DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.8A(Ta) 1.8W(Ta) 8-SO
型号:
SI4484EY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4484EY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4484EY-T1-GE3CT
SI4484EYT1GE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) 8-PowerPak? ChipFet(3x1.9)
型号:
SI5456DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5456DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5456DU-T1-GE3CT
SI5456DUT1GE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7462DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7462DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7462DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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