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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Ta) 1.88W(Ta),60W(Tj) I-Pak
型号:
NTD20N06-001
仓库库存编号:
NTD20N06-001OS-ND
别名:NTD20N06-001OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
含铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
详细描述:通孔 N 沟道 200V 10A(Ta) 35W(Tc) TO-220FN
型号:
RDN100N20
仓库库存编号:
RDN100N20-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50V 30A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ30PBF
仓库库存编号:
IRFZ30PBF-ND
别名:*IRFZ30PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 3.6A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
MMDF2N02ER2G
仓库库存编号:
MMDF2N02ER2GOS-ND
别名:MMDF2N02ER2GOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 18A(Ta) 2.1W(Ta),55W(Tj) DPAK
型号:
NTD18N06T4G
仓库库存编号:
NTD18N06T4GOS-ND
别名:NTD18N06T4GOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 2W(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMSD6N303R2G
仓库库存编号:
NTMSD6N303R2GOS-ND
别名:NTMSD6N303R2GOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP27N06G
仓库库存编号:
NTP27N06GOS-ND
别名:NTP27N06GOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF7N60T
仓库库存编号:
FCPF7N60T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 16.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 150V 16.4A(Tc) 108W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP16N15
仓库库存编号:
FQP16N15-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.3A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
SSD2025TF
仓库库存编号:
SSD2025TF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 16.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 16.4A(Tc) 3.75W(Ta),108W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB16N15TM
仓库库存编号:
FQB16N15TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 11.8A(Tc) 2.5W(Ta),55W(Tc) D-Pak
型号:
FQD16N15TF
仓库库存编号:
FQD16N15TF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 11.8A(Tc) 2.5W(Ta),55W(Tc) D-Pak
型号:
FQD16N15TM
仓库库存编号:
FQD16N15TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 4.2A(Tc) 140W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP4N90
仓库库存编号:
FQP4N90-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.5A(Tc) 47W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF4N90
仓库库存编号:
FQPF4N90-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 4.2A(Tc) 3.13W(Ta),140W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB4N90TM
仓库库存编号:
FQB4N90TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 83W(Tc) I2PAK
型号:
FCU7N60TU
仓库库存编号:
FCU7N60TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 83W(Tc) D-Pak
型号:
FCD7N60TF
仓库库存编号:
FCD7N60TFCT-ND
别名:FCD7N60TFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 25A 5LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 25A(Ta) 25W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2267H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2267H-EL-E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 18A(Ta) 2.1W(Ta),55W(Tj) DPAK
型号:
NTD18N06
仓库库存编号:
NTD18N06-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 18A(Ta) 2.1W(Ta),55W(Tj) I-Pak
型号:
NTD18N06-1G
仓库库存编号:
NTD18N06-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 18A(Ta) 2.1W(Ta),55W(Tj) DPAK
型号:
NTD18N06G
仓库库存编号:
NTD18N06G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Ta) 1.88W(Ta),60W(Tj) I-Pak
型号:
NTD20N06-1G
仓库库存编号:
NTD20N06-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 2W(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMSD6N303R2SG
仓库库存编号:
NTMSD6N303R2SG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.3A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4418DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4418DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4418DY-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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