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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 185W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP10N60NZ
仓库库存编号:
FDP10N60NZ-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),45W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ058N03LS G
仓库库存编号:
BSZ058N03LSGINCT-ND
别名:BSZ058N03LSGINCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3806PBF
仓库库存编号:
IRFB3806PBF-ND
别名:SP001572380
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3806PBF
仓库库存编号:
IRFSL3806PBF-ND
别名:SP001571672
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 90W(Tc) I-Pak
型号:
STU6N62K3
仓库库存编号:
497-12699-5-ND
别名:497-12699-5
STU6N62K3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta),5.4A(Tc) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R5011FNX
仓库库存编号:
R5011FNX-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 950 V, 0.41 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 7.5A(Ta) 30W I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI15N95K5
仓库库存编号:
497-17092-ND
别名:497-17092
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 26A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 26A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ474EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ474EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ474EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ974EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ974EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ974EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 8.9A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7315DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7315DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7315DN-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 28A(Tc) 107W(Tc) D2PAK
型号:
PHB27NQ10T,118
仓库库存编号:
1727-4763-1-ND
别名:1727-4763-1
568-5940-1
568-5940-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF10N60NZ
仓库库存编号:
FDPF10N60NZ-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF10N40D-E3
仓库库存编号:
SIHF10N40D-E3-ND
别名:SIHF10N40DE3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 90W(Tc) I2PAK
型号:
STI13NM60N
仓库库存编号:
497-12258-ND
别名:497-12258
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 22A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),33W(Tc) Power56
型号:
FDMS7682
仓库库存编号:
FDMS7682CT-ND
别名:FDMS7682CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 700mW(Ta),30W(Tc) 8-TSON
型号:
TPCC8008(TE12L,QM)
仓库库存编号:
TPCC8008(TE12LQM)CT-ND
别名:TPCC8008(TE12LQM)CT
TPCC8008TE12LQM
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta),13A(Tc) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3127DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3127DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3127DV-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 23A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ158EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ158EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ158EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 29.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR172DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR172DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR172DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 75W(Tj) Power56
型号:
FDMS86380_F085
仓库库存编号:
FDMS86380_F085CT-ND
别名:FDMS86380_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 19.3A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4162DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4162DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4162DY-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 75W(Tj) D-Pak
型号:
FDD86580_F085
仓库库存编号:
FDD86580_F085CT-ND
别名:FDD86580_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 75W(Tj) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD86380_F085
仓库库存编号:
FDD86380_F085CT-ND
别名:FDD86380_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.2A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
NDT451AN
仓库库存编号:
NDT451ANCT-ND
别名:NDT451ANCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3469DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3469DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3469DV-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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