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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
STD13NM60N
仓库库存编号:
497-8773-1-ND
别名:497-8773-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Tc) 165W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP12N50
仓库库存编号:
FDP12N50-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FCPF7N60YDTU
仓库库存编号:
FCPF7N60YDTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF12N50UT
仓库库存编号:
FDPF12N50UT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 83W(Tc) I2PAK
型号:
FCI7N60
仓库库存编号:
FCI7N60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB100N6F7
仓库库存编号:
497-15894-1-ND
别名:497-15894-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 83W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP7N60
仓库库存编号:
FCP7N60-ND
别名:FCP7N60_NL
FCP7N60_NL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.2A(Tc) 3.13W(Ta),140W(Tc) I2PAK
型号:
FQI4N90TU
仓库库存编号:
FQI4N90TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 347W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP36N30P3
仓库库存编号:
IXFP36N30P3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 347W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA36N30P3
仓库库存编号:
IXFA36N30P3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 46W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD50N04S4L08ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N04S4L08ATMA1CT-ND
别名:IPD50N04S4L08ATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
STD12NM50ND
仓库库存编号:
497-10020-1-ND
别名:497-10020-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP11NM60ND
仓库库存编号:
497-8442-5-ND
别名:497-8442-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9A SC70
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Tc) 2.9W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA459EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA459EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA459EDJ-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.2A(Ta) 3.7W(Ta),107W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5844NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5844NLT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5844NLT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6680AS
仓库库存编号:
FDS6680ASCT-ND
别名:FDS6680ASCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.9A(Tc) 2.1W(Ta),41.7W(Tc) TO-252
型号:
SUD20N10-66L-GE3
仓库库存编号:
SUD20N10-66L-GE3CT-ND
别名:SUD20N10-66L-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA60EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA60EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA60EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJB42EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJB42EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJB42EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11.2A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.2A(Ta) 3.7W(Ta),107W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5844NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5844NLT1GOSCT-ND
别名:NVMFS5844NLT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK FP
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI13NM60N
仓库库存编号:
497-12857-5-ND
别名:497-12857-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 3W(Ta),90W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL13NM60N
仓库库存编号:
497-11845-1-ND
别名:497-11845-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP11NM60
仓库库存编号:
497-2773-5-ND
别名:497-2773-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB11NM60T4
仓库库存编号:
497-6545-1-ND
别名:497-6545-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 32.1W(Tc) ITO-220
型号:
TSM60NB260CI C0G
仓库库存编号:
TSM60NB260CI C0G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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