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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB12NK80ZT4
  仓库库存编号：497-4320-1-ND
  别名：497-4320-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW12NK80Z
  仓库库存编号：497-3256-5-ND
  别名：497-3256-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 99W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7546PBF
  仓库库存编号：IRFB7546PBF-ND
  别名：SP001560262
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8 FL
  
  型号：BSC010N04LSIATMA1
  仓库库存编号：BSC010N04LSIATMA1CT-ND
  别名：BSC010N04LSIATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH240N75F3-6
  仓库库存编号：497-11841-1-ND
  别名：497-11841-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 88A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB107N20N3 G
  仓库库存编号：IPB107N20N3 GCT-ND
  别名：IPB107N20N3 GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 88A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB107N20NA
  仓库库存编号：IPB107N20NACT-ND
  别名：IPB107N20NACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 84A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP120N20NFDAKSA1
  仓库库存编号：IPP120N20NFDAKSA1-ND
  别名：SP001108122
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP110N20N3 G
  仓库库存编号：IPP110N20N3 G-ND
  别名：IPP110N20N3G
  IPP110N20N3GXKSA1
  SP000677892
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP110N20NA
  仓库库存编号：IPP110N20NA-ND
  别名：IPP110N20NAAKSA1
  SP000877672
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK-6
  
  型号：STH245N75F3-6
  仓库库存编号：497-15470-1-ND
  别名：497-15470-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 62A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4510PBF
  仓库库存编号：IRFB4510PBF-ND
  别名：SP001566724
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP90142E-GE3
  仓库库存编号：SUP90142E-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4628DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4628DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4628DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8048-H(TE12L,Q)
  仓库库存编号：TPC8048-HTE12LQCT-ND
  别名：TPC8048-HTE12LQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM90142E-GE3
  仓库库存编号：SUM90142E-GE3TR-ND
  别名：SUM90142E-GE3TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM90142E-GE3
  仓库库存编号：SUM90142E-GE3CT-ND
  别名：SUM90142E-GE3-ND
  SUM90142E-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.4A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC079N10NSGATMA1
  仓库库存编号：BSC079N10NSGATMA1CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 84A（Tc） 300W（Tc） TO-263-3
  
  型号：IPB117N20NFDATMA1
  仓库库存编号：IPB117N20NFDATMA1CT-ND
  别名：IPB117N20NFDATMA1-ND
  IPB117N20NFDATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 75V 180A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH240N75F3-2
  仓库库存编号：497-13271-1-ND
  别名：497-13271-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB031N08N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB031N08N5ATMA1CT-ND
  别名：IPB031N08N5ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52.1W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7613DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7613DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7613DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 272W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN2R0-30YLE,115
  仓库库存编号：1727-1130-1-ND
  别名：1727-1130-1
  568-10285-1
  568-10285-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC035N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC035N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC035N10NS5ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 71A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 99W（Tc） DPAK
  
  型号：IRFR7546TRPBF
  仓库库存编号：IRFR7546TRPBFCT-ND
  别名：IRFR7546TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 87nC @ 10V,
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