品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD50P04P4L11ATMA1
仓库库存编号:
IPD50P04P4L11ATMA1CT-ND
别名:IPD50P04P4L-11CT
IPD50P04P4L-11CT-ND
IPD50P04P4L11ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC010NE2LSI
仓库库存编号:
BSC010NE2LSICT-ND
别名:BSC010NE2LSICT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7406TRPBF
仓库库存编号:
IRF7406PBFCT-ND
别名:*IRF7406TRPBF
IRF7406PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),50A(Tc) 3.6W(Ta),59W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH8316TRPBF
仓库库存编号:
IRFH8316TRPBFCT-ND
别名:IRFH8316TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 91W(Tc) DPAK
型号:
AUIRFR540Z
仓库库存编号:
AUIRFR540Z-ND
别名:SP001521742
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7458TRPBF
仓库库存编号:
IRF7458PBFCT-ND
别名:*IRF7458TRPBF
IRF7458PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),83A(Tc) 3.4W(Ta),54W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8321TRPBF
仓库库存编号:
IRFH8321TRPBFCT-ND
别名:IRFH8321TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 91W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR540ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR540ZTRPBF-ND
别名:SP001578120
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 91W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR540ZTRLPBF
仓库库存编号:
IRFR540ZTRLPBF-ND
别名:SP001567620
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 91W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR540ZPBF
仓库库存编号:
IRFR540ZPBF-ND
别名:SP001555140
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 91W(Tc) DPAK
型号:
AUIRFR540ZTRL
仓库库存编号:
AUIRFR540ZTRLTR-ND
别名:AUIRFR540ZTRLTR
SP001520296
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 35A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 35A(Tc) 91W(Tc) I-Pak
型号:
AUIRFU540Z
仓库库存编号:
AUIRFU540Z-ND
别名:SP001519728
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7458TR
仓库库存编号:
IRF7458TR-ND
别名:SP001575116
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7492TR
仓库库存编号:
IRF7492TRTR-ND
别名:IRF7492TRTR
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7492
仓库库存编号:
IRF7492-ND
别名:*IRF7492
SP001559928
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 91W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR540ZTRRPBF
仓库库存编号:
IRFR540ZTRRPBF-ND
别名:SP001557092
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 35A(Tc) 91W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU540ZPBF
仓库库存编号:
IRFU540ZPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 6.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7406GTRPBF
仓库库存编号:
IRF7406GTRPBFCT-ND
别名:IRF7406GTRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 13A(Ta),71A(Tc) 3.6W(Ta),105W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5207TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5207TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5207TR2PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Ta),55A(Tc) 3.6W(Ta),104W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5210TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5210TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5210TR2PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7492TRPBF
仓库库存编号:
IRF7492TRPBFCT-ND
别名:IRF7492TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
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