规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(52)
分立半导体产品
(52)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (2)
Infineon Technologies (21)
IXYS (2)
Nexperia USA Inc. (3)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (10)
Renesas Electronics America (2)
Rohm Semiconductor (1)
STMicroelectronics (6)
Toshiba Semiconductor and Storage (3)
Vishay Siliconix (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 91W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR540ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR540ZTRPBF-ND
别名:SP001578120
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 91W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR540ZTRLPBF
仓库库存编号:
IRFR540ZTRLPBF-ND
别名:SP001567620
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 91W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR540ZPBF
仓库库存编号:
IRFR540ZPBF-ND
别名:SP001555140
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 91W(Tc) DPAK
型号:
AUIRFR540ZTRL
仓库库存编号:
AUIRFR540ZTRLTR-ND
别名:AUIRFR540ZTRLTR
SP001520296
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 35A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 35A(Tc) 91W(Tc) I-Pak
型号:
AUIRFU540Z
仓库库存编号:
AUIRFU540Z-ND
别名:SP001519728
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP12NK60Z
仓库库存编号:
497-4817-5-ND
别名:497-4817-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
STW12NK60Z
仓库库存编号:
497-10995-5-ND
别名:497-10995-5
STW12NK60Z-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 100A(Tc) 164W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R7-25YLC,115
仓库库存编号:
568-6723-1-ND
别名:568-6723-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 5.2A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.2A(Tc) 107W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF7N90
仓库库存编号:
FQAF7N90-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7.4A(Tc) 198W(Tc) TO-3P
型号:
FQA7N90
仓库库存编号:
FQA7N90-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6.1A(Ta) 1.9W(Ta) 8-MLP,MicroFET(3x1.9)
型号:
FDMB668P
仓库库存编号:
FDMB668PCT-ND
别名:FDMB668PCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 85V 70A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 70A(Tc) 176W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA70N085T
仓库库存编号:
IXTA70N085T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 85V 70A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 70A(Tc) 176W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP70N085T
仓库库存编号:
IXTP70N085T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7.4A(Tc) 198W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA7N90_F109
仓库库存编号:
FQA7N90_F109-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 11A TO-3P
详细描述:通孔 P 沟道 200V 11A(Tc) 126W(Tc) TO-3P
型号:
SFH9240
仓库库存编号:
SFH9240FS-ND
别名:SFH9240FS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 11A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 200V 11A(Tc) 123W(Tc) TO-220-3
型号:
SFP9640
仓库库存编号:
SFP9640-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 11A(Tc) 3.1W(Ta),123W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
SFW9640TM
仓库库存编号:
SFW9640TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Ta) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8A04-H(TE12L,Q
仓库库存编号:
TPCA8A04-H(TE12L,Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7458TR
仓库库存编号:
IRF7458TR-ND
别名:SP001575116
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7492TR
仓库库存编号:
IRF7492TRTR-ND
别名:IRF7492TRTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7492
仓库库存编号:
IRF7492-ND
别名:*IRF7492
SP001559928
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 91W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR540ZTRRPBF
仓库库存编号:
IRFR540ZTRRPBF-ND
别名:SP001557092
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 35A(Tc) 91W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU540ZPBF
仓库库存编号:
IRFU540ZPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 6.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7406GTRPBF
仓库库存编号:
IRF7406GTRPBFCT-ND
别名:IRF7406GTRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 13A(Ta),71A(Tc) 3.6W(Ta),105W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5207TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5207TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5207TR2PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 59nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号