以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 66A
  详细描述：通孔 N 沟道 66A（Tc） 446W（Tc） TO-247
  
  型号：STW72N60DM2AG
  仓库库存编号：497-16130-5-ND
  别名：497-16130-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 121nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 66A
  详细描述：通孔 N 沟道 66A（Tc） 446W（Tc） TO-247
  
  型号：STW70N60DM2
  仓库库存编号：497-16345-5-ND
  别名：497-16345-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 121nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7C10-75AITE,118
  仓库库存编号：1727-7176-1-ND
  别名：1727-7176-1
  568-9661-1
  568-9661-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 121nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BUK7909-75AIE,127
  仓库库存编号：1727-7225-ND
  别名：1727-7225
  568-9742-5
  568-9742-5-ND
  934057279127
  BUK7909-75AIE
  BUK7909-75AIE,127-ND
  BUK7909-75AIE-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 121nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 255W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R037P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R037P7XKSA1-ND
  别名：SP001606060
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 121nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 255W（Tc） PG-TO247-4
  
  型号：IPZ60R037P7XKSA1
  仓库库存编号：IPZ60R037P7XKSA1-ND
  别名：SP001606064
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 121nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） SOT-426
  
  型号：BUK7109-75ATE,118
  仓库库存编号：568-9631-1-ND
  别名：568-9631-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 121nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BUK7909-75ATE,127
  仓库库存编号：1727-7226-ND
  别名：1727-7226
  568-9743-5
  568-9743-5-ND
  934057280127
  BUK7909-75ATE
  BUK7909-75ATE,127-ND
  BUK7909-75ATE-ND
  BUK790975ATE127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 121nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 75A（Tc） 272W（Tc） SOT-426
  
  型号：BUK7109-75AIE,118
  仓库库存编号：568-9630-1-ND
  别名：568-9630-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 121nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 32A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 32A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK6020DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK6020DPK-00#T0-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 121nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 55V, 30V 40A 69W, 96W Surface Mount PG-TO263-5
  
  型号：BTS7904BATMA1
  仓库库存编号：BTS7904BATMA1TR-ND
  别名：BTS7904B
  BTS7904B-ND
  SP000415554
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 121nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 55A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 55A（Tc） 57.7W（Tc） TO-220F
  
  型号：PSMN7R0-100XS,127
  仓库库存编号：568-9497-5-ND
  别名：934066042127
  PSMN7R0-100XS,127-ND
  PSMN7R0-100XS127
  PSMN7R0100XS127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 121nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索