品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT17F100B
仓库库存编号:
APT17F100B-ND
别名:APT17F100BMI
APT17F100BMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT18M100B
仓库库存编号:
APT18M100B-ND
别名:APT18M100BMI
APT18M100BMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 565W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT12067B2FLLG
仓库库存编号:
APT12067B2FLLG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
详细描述:Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60AM45BC1G
仓库库存编号:
APTC60AM45BC1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT22F80B
仓库库存编号:
APT22F80B-ND
别名:APT22F80BMI
APT22F80BMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 25A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 25A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT24M80B
仓库库存编号:
APT24M80B-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 23A(Tc) 625W(Tc) D3Pak
型号:
APT22F80S
仓库库存编号:
APT22F80S-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 17A(Tc) 625W(Tc) D3Pak
型号:
APT17F100S
仓库库存编号:
APT17F100S-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 25A(Tc) 625W(Tc) D3Pak
型号:
APT24M80S
仓库库存编号:
APT24M80S-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 600V 54A(Tc) 690W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT6010B2LLG
仓库库存编号:
APT6010B2LLG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 50A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT50N60JCCU2
仓库库存编号:
APT50N60JCCU2-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60AM45T1G
仓库库存编号:
APTC60AM45T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60DDAM45T1G
仓库库存编号:
APTC60DDAM45T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60DSKM45T1G
仓库库存编号:
APTC60DSKM45T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60VDAM45T1G
仓库库存编号:
APTC60VDAM45T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 600V 49A SP1
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60HM45T1G
仓库库存编号:
APTC60HM45T1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
详细描述:Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60AM45B1G
仓库库存编号:
APTC60AM45B1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 49A 250W Chassis Mount SP4
型号:
APTC60HM45SCTG
仓库库存编号:
APTC60HM45SCTG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 52A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT50N60JCU2
仓库库存编号:
APT50N60JCU2-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 11A 208W Chassis Mount SP1
型号:
APTM100H80FT1G
仓库库存编号:
APTM100H80FT1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 18A(Tc) 565W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT12067B2LLG
仓库库存编号:
APT12067B2LLG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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