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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 278W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB33N60ET5-GE3
仓库库存编号:
SIHB33N60ET5-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 278W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB33N60ET1-GE3
仓库库存编号:
SIHB33N60ET1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 278W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG33N60E-E3
仓库库存编号:
SIHG33N60E-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ120N15T
仓库库存编号:
IXTQ120N15T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 110A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH110N15T2
仓库库存编号:
IXFH110N15T2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 130A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 830W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH130N20T
仓库库存编号:
IXTH130N20T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 600W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ120N15P
仓库库存编号:
IXTQ120N15P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 85V 50A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT50P085
仓库库存编号:
IXTT50P085-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 600W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH120N15P
仓库库存编号:
IXFH120N15P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXTT120N15P
仓库库存编号:
IXTT120N15P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXFT120N15P
仓库库存编号:
IXFT120N15P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 278W(Tc) TO-247AD
型号:
SIHW33N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHW33N60E-GE3-ND
别名:SIHW33N60E-GE3CT
SIHW33N60E-GE3CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 24A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 24A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT24P20
仓库库存编号:
IXTT24P20-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 25A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 25A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT24M80B
仓库库存编号:
APT24M80B-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 23A(Tc) 625W(Tc) D3Pak
型号:
APT22F80S
仓库库存编号:
APT22F80S-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 17A(Tc) 625W(Tc) D3Pak
型号:
APT17F100S
仓库库存编号:
APT17F100S-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 32A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX32N80P
仓库库存编号:
IXFX32N80P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 32A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK32N80P
仓库库存编号:
IXFK32N80P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 25A(Tc) 625W(Tc) D3Pak
型号:
APT24M80S
仓库库存编号:
APT24M80S-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 300V 52A(Tc) 360W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK52N30Q
仓库库存编号:
IXFK52N30Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 20A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR32N80P
仓库库存编号:
IXFR32N80P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 48A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX48N60P
仓库库存编号:
IXFX48N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 600V 46A(Ta) 120W(Tc) TO-3PF
型号:
R6046ANZC8
仓库库存编号:
R6046ANZC8-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 48A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 48A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK48N60P
仓库库存编号:
IXFK48N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 35A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR64N50P
仓库库存编号:
IXFR64N50P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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