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IXYS
MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 32A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR48N60P
仓库库存编号:
IXFR48N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 310W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR30N50Q
仓库库存编号:
IXFR30N50Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 416W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX30N50Q
仓库库存编号:
IXFX30N50Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 32A(Tc) 416W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX32N50Q
仓库库存编号:
IXFX32N50Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 32A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 32A(Tc) 416W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK32N50Q
仓库库存编号:
IXFK32N50Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 310W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR32N50Q
仓库库存编号:
IXFR32N50Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 416W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK30N50Q
仓库库存编号:
IXFK30N50Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 52A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT52N30Q
仓库库存编号:
IXFT52N30Q-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 53A 180W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMM110-015X2F
仓库库存编号:
FMM110-015X2F-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 29A(Tc) 625W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN32N80P
仓库库存编号:
IXFN32N80P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 600V 54A(Tc) 690W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT6010B2LLG
仓库库存编号:
APT6010B2LLG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 50A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT50N60JCCU2
仓库库存编号:
APT50N60JCCU2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60AM45T1G
仓库库存编号:
APTC60AM45T1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60DDAM45T1G
仓库库存编号:
APTC60DDAM45T1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60DSKM45T1G
仓库库存编号:
APTC60DSKM45T1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60VDAM45T1G
仓库库存编号:
APTC60VDAM45T1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 600V 49A SP1
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60HM45T1G
仓库库存编号:
APTC60HM45T1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
详细描述:Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC60AM45B1G
仓库库存编号:
APTC60AM45B1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 49A 250W Chassis Mount SP4
型号:
APTC60HM45SCTG
仓库库存编号:
APTC60HM45SCTG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 103A(Tc) 333W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3610STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3610STRLPBFCT-ND
别名:IRF3610STRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 160A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
AUIRF1404ZL
仓库库存编号:
AUIRF1404ZL-ND
别名:SP001520886
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 140A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 140A(Tc) 330W(Tc) TO-220
型号:
AUIRF3305
仓库库存编号:
AUIRF3305-ND
别名:SP001517888
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 200V 72A D2PAK
详细描述:N 沟道 200V 72A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
AUIRFS4127TRL
仓库库存编号:
AUIRFS4127TRL-ND
别名:SP001518830
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 72A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 72A(Tc) 375W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4127PBF
仓库库存编号:
IRFSL4127PBF-ND
别名:SP001557538
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3
型号:
STW80NF06
仓库库存编号:
497-3266-5-ND
别名:497-3266-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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