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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP120NF04
仓库库存编号:
STP120NF04-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
STP270N04
仓库库存编号:
497-5270-5-ND
别名:497-5270-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3
型号:
STW80NF55-08
仓库库存编号:
STW80NF55-08-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 330W(Tc) TO-220-3
型号:
STP270N4F3
仓库库存编号:
STP270N4F3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 400V 16A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP350
仓库库存编号:
IRFP350-ND
别名:*IRFP350
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP450
仓库库存编号:
IRFP450IR-ND
别名:*IRFP450
IRFP450IR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247AD
型号:
IRFP450
仓库库存编号:
IRFP450X-ND
别名:IRFP450X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 23A(Tc) 370W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP23N50L
仓库库存编号:
IRFP23N50L-ND
别名:*IRFP23N50L
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET P-CH 85V 50A TO-247AD
详细描述:通孔 P 沟道 85V 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH50P085
仓库库存编号:
IXTH50P085-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) 310W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76445P3
仓库库存编号:
HUF76445P3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76445S3S
仓库库存编号:
HUF76445S3S-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76445S3ST
仓库库存编号:
HUF76445S3ST-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) 310W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76445P3
仓库库存编号:
HUFA76445P3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76445S3S
仓库库存编号:
HUFA76445S3S-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76445S3ST
仓库库存编号:
HUFA76445S3ST-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 52A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT50N60JCU2
仓库库存编号:
APT50N60JCU2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 11A 208W Chassis Mount SP1
型号:
APTM100H80FT1G
仓库库存编号:
APTM100H80FT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 333W(Tc) D2PAK
型号:
BUK761R8-30C,118
仓库库存编号:
568-5854-1-ND
别名:568-5854-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 35A(Tc) 5.4W(Ta),83.3W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7447ADP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7447ADP-T1-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 35A(Tc) 5.4W(Ta),83.3W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7447ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7447ADP-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 32A(Tc) 5W(Ta),69.4W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIJ400DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJ400DP-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 82A(Tc) 1.8W(Ta),143W(Tc) TO-263
型号:
NP82N04PDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP82N04PDG-E1-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 75V 84A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 84A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP84N075KUE-E1-AY
仓库库存编号:
NP84N075KUE-E1-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4W(Ta),70W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD45P03-10-E3
仓库库存编号:
SUD45P03-10-E3CT-ND
别名:SUD45P03-10-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 18A(Tc) 565W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT12067B2LLG
仓库库存编号:
APT12067B2LLG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
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