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• Transphorm
  GAN FET 600V 17A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3206PS
  仓库库存编号：TPH3206PS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RTR030P02TL
  仓库库存编号：RTR030P02TLCT-ND
  别名：RTR030P02TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 4.5V,
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• Transphorm
  GAN FET 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3202PS
  仓库库存编号：TPH3202PS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 4.5V,
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• Transphorm
  GAN FET 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3202PD
  仓库库存编号：TPH3202PD-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 4.5V,
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• Transphorm
  GAN FET 600V 17A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3206LD
  仓库库存编号：TPH3206LD-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 4.5V,
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• Transphorm
  GAN FET 600V 17A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3206LS
  仓库库存编号：TPH3206LS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 4.5V,
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• Transphorm
  GAN FET 600V 17A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3206PD
  仓库库存编号：TPH3206PD-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NTP8G202NG
  仓库库存编号：NTP8G202NGOS-ND
  别名：NTP8G202NGOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8707TRPBF
  仓库库存编号：IRF8707TRPBFCT-ND
  别名：IRF8707TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8707GTRPBF
  仓库库存编号：IRF8707GTRPBFCT-ND
  别名：IRF8707GTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 4.5V,
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• Transphorm
  GAN FET 600V 9A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3202LS
  仓库库存编号：TPH3202LS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 4.5V,
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• Transphorm
  GAN FET 650V 16A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 81W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3206LDGB
  仓库库存编号：TPH3206LDGB-ND
  别名：TPH3206LDG
  TPH3206LDG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 4.5V,
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• Transphorm
  GAN FET 600V 9A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3202LD
  仓库库存编号：TPH3202LD-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 17A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NTP8G206NG
  仓库库存编号：NTP8G206NGOS-ND
  别名：NTP8G206NGOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.1A, 13.7A 1.09W, 1.15W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NTMFD4C20NT3G
  仓库库存编号：NTMFD4C20NT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.1A, 13.7A 1.09W, 1.15W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NTMFD4C20NT1G
  仓库库存编号：NTMFD4C20NT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 4.5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.9A（Tc） 1.9W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV40UN,215
  仓库库存编号：568-2355-1-ND
  别名：568-2355-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.3nC @ 4.5V,
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