品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.8A(Tc) 1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23
型号:
SI2371EDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2371EDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2371EDS-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 4.8W(Ta),41.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR424DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR424DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR424DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.5A(Tc) 2.5W(Ta),4.45W(Tc) 8-SO
型号:
SI4884BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4884BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4884BDY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 12A SC-70
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 12A(Tc) 19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA441DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA441DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA441DJ-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 16A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS484ENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS484ENW-T1_GE3CT-ND
别名:SQS484ENW-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 46A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 46A(Tc) 55W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA94EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA94EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA94EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJB00EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJB00EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJB00EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA00EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA00EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA00EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 48A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ418EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ418EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ418EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 46A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 55W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA84EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA84EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA84EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A (Tc) 34W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJB40EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJB40EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJB40EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 40A 39W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
型号:
SIZ920DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ920DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ920DT-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V POWERPAK SO-8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA88EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA88EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA88EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 16A 2.36W, 2.8W Surface Mount 6-PowerPair?
型号:
SIZ700DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ700DT-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16.5A(Tc) 2.5W(Ta),4.45W(Tc) 8-SO
型号:
SI4884BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4884BDY-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.7A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3483DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3483DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3483DV-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE800DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE800DF-T1-E3CT-ND
别名:SIE800DF-T1-E3CT
SIE800DFT1E3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 23A(Tc) 3.75W(Ta),100W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM23N15-73-E3
仓库库存编号:
SUM23N15-73-E3CT-ND
别名:SUM23N15-73-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.7A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3483DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3483DV-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 2.4W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4544DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4544DY-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 2.4W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4544DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4544DY-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE800DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE800DF-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 40A(Tc) 71W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD40N04-10A-E3
仓库库存编号:
SUD40N04-10A-E3CT-ND
别名:SUD40N04-10A-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS330DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS330DN-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR330DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR330DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR330DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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