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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R250CPATMA1
仓库库存编号:
IPB60R250CPATMA1TR-ND
别名:IPB60R250CP
IPB60R250CP-ND
SP000358140
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD096N08N3 G
IPD096N08N3 G-ND
SP000474196
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N08N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI100N08N3GHKSA1-ND
别名:IPI100N08N3 G
IPI100N08N3 G-ND
SP000474192
SP000680710
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R250CPAKSA1
仓库库存编号:
IPI60R250CPAKSA1-ND
别名:IPI60R250CP
IPI60R250CP-ND
SP000358141
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 50A(Tc) 100W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU103N08N3 G
仓库库存编号:
IPU103N08N3 G-ND
别名:SP000521640
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R250CP
仓库库存编号:
IPW60R250CP-ND
别名:IPW60R250CPFKSA1
SP000310511
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 167W(Tc) DPAK
型号:
BUK7210-55B/C1,118
仓库库存编号:
BUK7210-55B/C1,118-ND
别名:934062108118
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 58A(Tc) 94W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI126N10N3 G
仓库库存编号:
IPI126N10N3 G-ND
别名:IPI126N10N3G
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11A(Ta),40A(Tc) 3.6W(Ta),46W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5406TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5406TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5406TR2PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB097N08N3 G
仓库库存编号:
IPB097N08N3 GCT-ND
别名:IPB097N08N3 GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 59A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD122N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD122N10N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD122N10N3 GCT
IPD122N10N3 GCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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