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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7212-55B,118
  仓库库存编号：1727-5246-1-ND
  别名：1727-5246-1
  568-6570-1
  568-6570-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJB00EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJB00EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJB00EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 188W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD19533KCS
  仓库库存编号：296-37482-5-ND
  别名：296-37482-5
  CSD19533KCS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF18NM60N
  仓库库存编号：497-10300-5-ND
  别名：497-10300-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 10A
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 162W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP650N80Z
  仓库库存编号：FCP650N80Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） TO-247
  
  型号：STW19NM60N
  仓库库存编号：497-13792-5-ND
  别名：497-13792-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 2.8W（Ta），53W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
  
  型号：CSD17577Q3AT
  仓库库存编号：296-38336-1-ND
  别名：296-38336-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 83W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD6415ANLT4G
  仓库库存编号：NTD6415ANLT4GOSCT-ND
  别名：NTD6415ANLT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA00EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA00EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA00EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 48A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ418EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ418EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ418EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 46A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 55W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA84EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA84EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA84EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A (Tc) 34W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJB40EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJB40EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJB40EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 23A WDFN8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），107A（Tc） 3.3W（Ta）, 68W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS5C453NLTAG
  仓库库存编号：NTTFS5C453NLTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS5C453NLTAGOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 135W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB9N50CTM
  仓库库存编号：FQB9N50CTMFSCT-ND
  别名：FQB9N50CTMFSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 40A 39W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ920DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ920DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ920DT-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V POWER
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
  
  型号：FDMD8900
  仓库库存编号：FDMD8900CT-ND
  别名：FDMD8900CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 20A, 35A 2.1W, 2.3W Surface Mount Power Clip 56
  
  型号：FDPC8016S
  仓库库存编号：FDPC8016SCT-ND
  别名：FDPC8016SCT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），127W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD86110
  仓库库存编号：FDD86110CT-ND
  别名：FDD86110CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD70N6F3
  仓库库存编号：497-12240-1-ND
  别名：497-12240-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 20A/40A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 20A, 40A 2.1W, 2.3W Surface Mount Power Clip 56
  
  型号：FDPC8014AS
  仓库库存编号：FDPC8014ASCT-ND
  别名：FDPC8014ASCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL4105TRPBF
  仓库库存编号：IRFL4105TRPBFCT-ND
  别名：IRFL4105TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 73A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 73A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD096N08N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD096N08N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD096N08N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ150N10LS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ150N10LS3GATMA1CT-ND
  别名：BSZ150N10LS3GATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），45A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB165N15NZ3 G
  仓库库存编号：BSB165N15NZ3 GCT-ND
  别名：BSB165N15NZ3 GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 102W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL65R130C7AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R130C7AUMA1CT-ND
  别名：IPL65R130C7AUMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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