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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 33.8W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF3860T
仓库库存编号:
FDPF3860T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 8.8A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N25C
仓库库存编号:
FQPF9N25C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 44W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N50CF
仓库库存编号:
FQPF9N50CFFS-ND
别名:FQPF9N50CF-ND
FQPF9N50CFFS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 10.5A(Tc) 135W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP11N40C
仓库库存编号:
FQP11N40CFS-ND
别名:FQP11N40C-ND
FQP11N40CFS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 142W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP16N25
仓库库存编号:
FQP16N25FS-ND
别名:FQP16N25-ND
FQP16N25FS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.6A(Tc) 167W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7N80C
仓库库存编号:
FQP7N80C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 13.7A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK14A65W,S5X
仓库库存编号:
TK14A65WS5X-ND
别名:TK14A65W,S5X(M
TK14A65W,S5X-ND
TK14A65WS5X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 12A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 1.56W(Ta),40W(Tc) LPTS(SC-83)
型号:
RCJ120N25TL
仓库库存编号:
RCJ120N25TLCT-ND
别名:RCJ120N25TLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 3W(Ta),53W(Tc) 8-VSONP(3x3.15)
型号:
CSD17577Q5AT
仓库库存编号:
296-38337-1-ND
别名:296-38337-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 10.5A(Tc) 44W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF11N40C
仓库库存编号:
FQPF11N40CFS-ND
别名:FQPF11N40C-ND
FQPF11N40CFS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R6012ANX
仓库库存编号:
R6012ANX-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R6012FNX
仓库库存编号:
R6012FNX-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 63W(Tc) TO-220
型号:
IXTP20N65XM
仓库库存编号:
IXTP20N65XM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 320W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA20N65X
仓库库存编号:
IXTA20N65X-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 320W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH20N65X
仓库库存编号:
IXTH20N65X-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STP5NK65ZFP
仓库库存编号:
497-12615-5-ND
别名:497-12615-5
STP5NK65ZFP-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5.4A
详细描述:通孔 N 沟道 5.4A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF6N65K3
仓库库存编号:
497-12424-ND
别名:497-12424
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 8.8A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N25CT
仓库库存编号:
FQPF9N25CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 94W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP126N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP126N10N3GXKSA1-ND
别名:IPP126N10N3 G
IPP126N10N3 G-ND
SP000683088
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.5A(Tc) 135W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB11N40CTM
仓库库存编号:
FQB11N40CTMCT-ND
别名:FQB11N40CTMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP100N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP100N08N3GXKSA1-ND
别名:IPP100N08N3 G
IPP100N08N3 G-ND
IPP100N08N3G
SP000680856
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 8.8A(Tc) 38W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF9N25CYDTU
仓库库存编号:
FQPF9N25CYDTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 6.6A(Tc) 56W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF7N80C
仓库库存编号:
FQPF7N80C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) D2PAK
型号:
TK14G65W,RQ
仓库库存编号:
TK14G65WRQCT-ND
别名:TK14G65WRQCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 30.5W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF650N80Z
仓库库存编号:
FCPF650N80Z-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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