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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF3860T
  仓库库存编号：FDPF3860T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 8.8A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N25C
  仓库库存编号：FQPF9N25C-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N50CF
  仓库库存编号：FQPF9N50CFFS-ND
  别名：FQPF9N50CF-ND
  FQPF9N50CFFS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP11N40C
  仓库库存编号：FQP11N40CFS-ND
  别名：FQP11N40C-ND
  FQP11N40CFS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 142W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP16N25
  仓库库存编号：FQP16N25FS-ND
  别名：FQP16N25-ND
  FQP16N25FS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 167W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP7N80C
  仓库库存编号：FQP7N80C-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 13.7A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK14A65W,S5X
  仓库库存编号：TK14A65WS5X-ND
  别名：TK14A65W,S5X(M
  TK14A65W,S5X-ND
  TK14A65WS5X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 12A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS（SC-83）
  
  型号：RCJ120N25TL
  仓库库存编号：RCJ120N25TLCT-ND
  别名：RCJ120N25TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 3W（Ta），53W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
  
  型号：CSD17577Q5AT
  仓库库存编号：296-38337-1-ND
  别名：296-38337-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF11N40C
  仓库库存编号：FQPF11N40CFS-ND
  别名：FQPF11N40C-ND
  FQPF11N40CFS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6012ANX
  仓库库存编号：R6012ANX-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6012FNX
  仓库库存编号：R6012FNX-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 63W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP20N65XM
  仓库库存编号：IXTP20N65XM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 320W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA20N65X
  仓库库存编号：IXTA20N65X-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 320W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH20N65X
  仓库库存编号：IXTH20N65X-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP5NK65ZFP
  仓库库存编号：497-12615-5-ND
  别名：497-12615-5
  STP5NK65ZFP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 5.4A
  详细描述：通孔 N 沟道 5.4A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF6N65K3
  仓库库存编号：497-12424-ND
  别名：497-12424
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 8.8A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N25CT
  仓库库存编号：FQPF9N25CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP126N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP126N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP126N10N3 G
  IPP126N10N3 G-ND
  SP000683088
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Tc） 135W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB11N40CTM
  仓库库存编号：FQB11N40CTMCT-ND
  别名：FQB11N40CTMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP100N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP100N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPP100N08N3 G
  IPP100N08N3 G-ND
  IPP100N08N3G
  SP000680856
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 8.8A（Tc） 38W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF9N25CYDTU
  仓库库存编号：FQPF9N25CYDTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF7N80C
  仓库库存编号：FQPF7N80C-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.7A（Ta） 130W（Tc） D2PAK
  
  型号：TK14G65W,RQ
  仓库库存编号：TK14G65WRQCT-ND
  别名：TK14G65WRQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 30.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF650N80Z
  仓库库存编号：FCPF650N80Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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