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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 20A, 41A 2.1W, 2.3W Surface Mount Power Clip 56
型号:
FDPC8014S
仓库库存编号:
FDPC8014SCT-ND
别名:FDPC8014SCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) I2PAK
型号:
TK14C65W,S1Q
仓库库存编号:
TK14C65WS1Q-ND
别名:TK14C65W,S1Q(S
TK14C65W,S1Q(S2
TK14C65W,S1Q-ND
TK14C65WS1Q
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 50W(Tc) LPTS(SC-83)
型号:
R6012FNJTL
仓库库存编号:
R6012FNJTLCT-ND
别名:R6012FNJTLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 49A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Tc) 105W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y18-75B,115
仓库库存编号:
1727-4606-1-ND
别名:1727-4606-1
568-5516-1
568-5516-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB123N10N3 G
仓库库存编号:
IPB123N10N3 GCT-ND
别名:IPB123N10N3 GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
STB28N65M2
仓库库存编号:
497-15456-1-ND
别名:497-15456-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.2W(Ta),96W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD19533Q5A
仓库库存编号:
296-37479-1-ND
别名:296-37479-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) TO-220
型号:
TK14E65W,S1X
仓库库存编号:
TK14E65WS1X-ND
别名:TK14E65W,S1X(S
TK14E65W,S1X-ND
TK14E65WS1X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R5013ANXFU6
仓库库存编号:
R5013ANXFU6-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 320W(Tc) TO-220
型号:
IXTP20N65X
仓库库存编号:
IXTP20N65X-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V POWERPAK SO-8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA88EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA88EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA88EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
TRENCH 6 40V FET
详细描述:表面贴装 N 沟道 107A(Tc) 68W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5C453NLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5C453NLWFTAGOSCT-ND
别名:NVTFS5C453NLWFTAGOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 70W(Tc) DPAK
型号:
STDLED625
仓库库存编号:
STDLED625-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STULED625
仓库库存编号:
STULED625-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 90W(Tc) DPAK
型号:
STDLED627
仓库库存编号:
STDLED627-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 90W(Tc) TO-220
型号:
STPLED627
仓库库存编号:
STPLED627-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP18NM60N
仓库库存编号:
497-10305-5-ND
别名:497-10305-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 7A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 30W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFILED627
仓库库存编号:
STFILED627-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP12NK30Z
仓库库存编号:
497-7502-5-ND
别名:497-7502-5
STP12NK30Z-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.1A(Ta),12A(Tc) 3W(Ta),110W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL18NM60N
仓库库存编号:
497-11847-1-ND
别名:497-11847-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 35W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF165N65S3L1
仓库库存编号:
FCPF165N65S3L1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) TO-247-3
型号:
STW18NM60N
仓库库存编号:
497-10997-5-ND
别名:497-10997-5
STW18NM60N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 12A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB4184
仓库库存编号:
AOB4184-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 19A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta),36.7W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7240
仓库库存编号:
785-1377-1-ND
别名:785-1377-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 83W(Tc) DPAK
型号:
NVD6495NLT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD6495NLT4G-VF01-ND
别名:NVD6495NLT4G
NVD6495NLT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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