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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 700V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 236W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT9N70
  仓库库存编号：AOT9N70-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 700V 9A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF9N70
  仓库库存编号：AOTF9N70-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta）, 110A（Tc） 3.7W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C450NLT3G
  仓库库存编号：NTMFS5C450NLT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 900V 6A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF6N90
  仓库库存编号：AOTF6N90-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C450NLT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C450NLT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta）, 110A（Tc） 3.7W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C450NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C450NLT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 700V 9A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 28W（Tc）
  
  型号：AOWF9N70
  仓库库存编号：AOWF9N70-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.7W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C450NLWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C450NLWFT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.7W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C450NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C450NLT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 16A 2.36W, 2.8W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ700DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ700DT-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 80V 34A SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 34A（Tc） 1.6W（Ta），61W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH8R008NH,L1Q
  仓库库存编号：TPH8R008NHL1QCT-ND
  别名：TPH8R008NHL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.7W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C450NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C450NLWFT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET NCH 700V 9A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 9A（Tc） 236W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB9N70L
  仓库库存编号：785-1719-1-ND
  别名：785-1719-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16.5A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4884BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4884BDY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10N50FD
  仓库库存编号：AOTF10N50FD-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Ta） 2.1W（Ta）, 110W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NDPL100N10BG
  仓库库存编号：NDPL100N10BG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Ta） 110W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：NDBA100N10BT4H
  仓库库存编号：NDBA100N10BT4H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0655DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0655DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0655DPB-00#J5-ND
  RJK0655DPB-00#J5TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0855DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0855DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0855DPB-00#J5-ND
  RJK0855DPB-00#J5TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 651V 800V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 178W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMG10N60SCT
  仓库库存编号：DMG10N60SCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC110N15NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC110N15NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC110N15NS5ATMA1CT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 198W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA7N80C_F109
  仓库库存编号：FQA7N80C_F109-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 100W（Tc） LPTS
  
  型号：R5013ANJTL
  仓库库存编号：R5013ANJTL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 100W（Tc） LPTS
  
  型号：R6012ANJTL
  仓库库存编号：R6012ANJTL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M010A060F
  仓库库存编号：1560-1206-5-ND
  别名：1560-1206-1
  1560-1206-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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