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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 320W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP18N60X
  仓库库存编号：IXFP18N60X-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 320W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXFA18N60X
  仓库库存编号：IXFA18N60X-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 320W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH18N60X
  仓库库存编号：IXFH18N60X-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50N04S3-08
  仓库库存编号：IPD50N04S308ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N04S3-08CT
  IPD50N04S3-08CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.4A（Ta），63A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC159N10LSF G
  仓库库存编号：BSC159N10LSFGATMA1CT-ND
  别名：BSC159N10LSF GCT
  BSC159N10LSF GCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA126N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPA126N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPA1-ND26N10N3GXKSA1-ND
  IPA126N10N3 G
  IPA126N10N3 G-ND
  IPA126N10N3G
  IPA26N10N3GXKSA1-ND
  SP000485964
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 40A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 40A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA100N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPA100N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPA00N08N3GXKSA1-ND
  IPA1-ND00N08N3GXKSA1-ND
  IPA100N08N3 G
  IPA100N08N3 G-ND
  IPA100N08N3G
  SP000473900
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 33W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R250CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R250CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R250CP
  IPA60R250CP-ND
  SP000310226
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 18A（Ta） 101W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R125C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R125C7ATMA1-ND
  别名：SP001080134
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 10A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA65R125C7XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R125C7XKSA1-ND
  别名：SP001080136
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 18A（Tc） 101W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R125C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW65R125C7XKSA1-ND
  别名：SP001080138
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF3HNK90Z
  仓库库存编号：497-4341-5-ND
  别名：497-4341-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP3HNK90Z
  仓库库存编号：497-7523-5-ND
  别名：497-7523-5
  STP3HNK90Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 13A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB18NM60N
  仓库库存编号：497-10297-1-ND
  别名：497-10297-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 13A（Tc） 110W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI18NM60N
  仓库库存编号：STI18NM60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5A（Tc） 85W（Tc） TO-220
  
  型号：STP5NK65Z
  仓库库存编号：STP5NK65Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8A SOT-223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：NDT453N
  仓库库存编号：NDT453NCT-ND
  别名：NDT453NCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：NDS9936
  仓库库存编号：NDS9936CT-ND
  别名：NDS9936CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8.8A（Tc） 74W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP9N25C
  仓库库存编号：FQP9N25C-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8.8A（Tc） 74W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP9N25CTSTU
  仓库库存编号：FQP9N25CTSTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8.8A（Tc） 3.13W（Ta），74W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI9N25CTU
  仓库库存编号：FQI9N25CTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8.8A（Tc） 3.13W（Ta），74W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB9N25CTM
  仓库库存编号：FQB9N25CTM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 10.5A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF11N40CT
  仓库库存编号：FQPF11N40CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 9A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N50CT
  仓库库存编号：FQPF9N50CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 9A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP9N50C
  仓库库存编号：FQP9N50C-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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