品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STF13N80K5
仓库库存编号:
497-13753-5-ND
别名:497-13753-5
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
STP24N60M2
仓库库存编号:
497-13556-5-ND
别名:497-13556-5
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 190W(Tc) TO-247
型号:
STW13N80K5
仓库库存编号:
497-15160-5-ND
别名:497-15160-5
STW13N80K5-ND
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 30W(Tc) TO-220 整包
型号:
STF24N60DM2
仓库库存编号:
497-15115-5-ND
别名:497-15115-5
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 190W(Tc) TO-220
型号:
STP13N80K5
仓库库存编号:
497-13779-5-ND
别名:497-13779-5
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-247
型号:
STW24N60DM2
仓库库存编号:
497-14582-5-ND
别名:497-14582-5
STW24N60DM2-ND
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF24N60M2
仓库库存编号:
497-13577-5-ND
别名:497-13577-5
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STFU13N80K5
仓库库存编号:
497-17144-ND
别名:497-17144
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 150V 5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 5A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
STS5N15F3
仓库库存编号:
497-8903-1-ND
别名:497-8903-1
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 150V 6A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 80W(Tc) PowerFlat?(6x5)
型号:
STL25N15F3
仓库库存编号:
497-8785-1-ND
别名:497-8785-1
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 600V 18A TO281
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 30W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI24N60M2
仓库库存编号:
497-13598-5-ND
别名:497-13598-5
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
STP24N65M2
仓库库存编号:
497-15276-5-ND
别名:497-15276-5
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 16A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF24N65M2
仓库库存编号:
497-15270-5-ND
别名:497-15270-5
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) I2PAK
型号:
STI24N60M2
仓库库存编号:
497-13775-5-ND
别名:497-13775-5
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP11NM65N
仓库库存编号:
497-13108-5-ND
别名:497-13108-5
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-247
型号:
STW24N60M2
仓库库存编号:
497-13594-5-ND
别名:497-13594-5
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 12A
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 33W(Tc) DPAK
型号:
STD28P3LLH6AG
仓库库存编号:
497-16301-1-ND
别名:497-16301-1
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD11NM65N
仓库库存编号:
497-13352-1-ND
别名:497-13352-1
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB24N60DM2
仓库库存编号:
497-15423-1-ND
别名:497-15423-1
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB24N65M2
仓库库存编号:
497-15304-1-ND
别名:497-15304-1
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB13N80K5
仓库库存编号:
497-13860-1-ND
别名:497-13860-1
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.195 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 125W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL24N60DM2
仓库库存编号:
497-16940-1-ND
别名:497-16940-1
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB24N60M2
仓库库存编号:
497-13575-1-ND
别名:497-13575-1
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP25N60M2-EP
仓库库存编号:
497-15892-5-ND
别名:497-15892-5
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF25N60M2-EP
仓库库存编号:
497-15886-5-ND
别名:497-15886-5
品牌:STMicroelectronics,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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