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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 48W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：IPZ40N04S5L4R8ATMA1
  仓库库存编号：IPZ40N04S5L4R8ATMA1CT-ND
  别名：IPZ40N04S5L4R8ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 83W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD6415ANT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD6415ANT4G-VF01-ND
  别名：NVD6415ANT4G
  NVD6415ANT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 33A（Ta） 48W（Tc） ATPAK
  
  型号：NVATS5A106PLZT4G
  仓库库存编号：NVATS5A106PLZT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.2A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS4824NWFTWG
  仓库库存编号：NVTFS4824NWFTWG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3660S
  仓库库存编号：FDMS3660SFSCT-ND
  别名：FDMS3660SFSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.2A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS4824NWFTAG
  仓库库存编号：NVTFS4824NWFTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.13W（Ta），72W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRFW630BTM_FP001
  仓库库存编号：IRFW630BTM_FP001-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 250-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 7A（Tc） 71W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD07N25-350H_GE3
  仓库库存编号：SQD07N25-350H_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 150V 5A SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 5A（Tc） 6.25W（Tc） 8-SO
  
  型号：PHK5NQ15T,518
  仓库库存编号：PHK5NQ15T,518-ND
  别名：934057307518
  PHK5NQ15T /T3
  PHK5NQ15T /T3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 100V 5A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 5A 1.7W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6850
  仓库库存编号：AON6850-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11.8A（Ta） 10.1W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：ZXMN6A09KQTC
  仓库库存编号：ZXMN6A09KQTC-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 25A（Ta） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：TK25E06K3,S1X(S
  仓库库存编号：TK25E06K3S1X(S-ND
  别名：TK25E06K3S1X(S
  TK25E06K3S1XS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA12N50P
  仓库库存编号：IXTA12N50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  FCP9N60N IN TO220 F102 T/F OPTIO
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 83.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCP9N60N_F102
  仓库库存编号：FCP9N60N_F102-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP12N50P
  仓库库存编号：IXFP12N50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP12N50PM
  仓库库存编号：IXFP12N50PM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP12N50PM
  仓库库存编号：IXTP12N50PM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA12N50P
  仓库库存编号：IXFA12N50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP12N50P
  仓库库存编号：IXTP12N50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 29.8W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FCPF9N60NTYDTU
  仓库库存编号：FCPF9N60NTYDTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 330W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA16N50P3
  仓库库存编号：IXFA16N50P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 330W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH16N50P3
  仓库库存编号：IXFH16N50P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 100V 11A TO-204AA
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 11A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
  
  型号：JANTX2N6804
  仓库库存编号：1088-1031-ND
  别名：1088-1031
  1088-1031-MIL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N15DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR13N15DTRPBF-ND
  别名：SP001571424
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N06S415ATMA2
  仓库库存编号：IPG20N06S415ATMA2-ND
  别名：SP001028634
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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