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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R299CP
  仓库库存编号：IPB60R299CPCT-ND
  别名：IPB60R299CPCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB60R299CPAATMA1
  仓库库存编号：IPB60R299CPAATMA1-ND
  别名：SP000539970
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI600N25N3GAKSA1
  仓库库存编号：IPI600N25N3GAKSA1-ND
  别名：IPI600N25N3 G
  IPI600N25N3 G-ND
  IPI600N25N3G
  SP000714316
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R299CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R299CP
  IPA60R299CP-ND
  SP000096438
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI320N20N3GAKSA1
  仓库库存编号：IPI320N20N3GAKSA1-ND
  别名：IPI320N20N3 G
  IPI320N20N3 G-ND
  IPI320N20N3G
  SP000714312
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD320N20N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD320N20N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD320N20N3 GCT
  IPD320N20N3 GCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 4A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP4NB80
  仓库库存编号：497-2781-5-ND
  别名：497-2781-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI11NM65N
  仓库库存编号：497-13388-5-ND
  别名：497-13388-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 18A（Tc） 48W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW24N60M2
  仓库库存编号：497-15009-5-ND
  别名：497-15009-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 79W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN3R7-30YLC,115
  仓库库存编号：568-6735-1-ND
  别名：568-6735-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.7A（Ta） 2.15W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMN6A09KTC
  仓库库存编号：ZXMN6A09KTCCT-ND
  别名：ZXMN6A09KTCCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 6.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9630
  仓库库存编号：IRF9630-ND
  别名：*IRF9630
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 6.5A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9630S
  仓库库存编号：IRF9630S-ND
  别名：*IRF9630S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 4.3A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9630G
  仓库库存编号：IRFI9630G-ND
  别名：*IRFI9630G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 6.5A（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF9630L
  仓库库存编号：IRF9630L-ND
  别名：*IRF9630L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 6.5A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9630STRL
  仓库库存编号：IRF9630STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 6.5A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9630STRR
  仓库库存编号：IRF9630STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6609A
  仓库库存编号：FDS6609A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 10.9A（Ta），62A（Tc） 115W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP13AN06A0
  仓库库存编号：FDP13AN06A0-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR230BTM_AM002
  仓库库存编号：IRFR230BTM_AM002-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 18A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 18A（Tc） 75W（Tc） TO-251AA
  
  型号：HUFA76619D3
  仓库库存编号：HUFA76619D3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUFA76619D3S
  仓库库存编号：HUFA76619D3S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUFA76619D3ST
  仓库库存编号：HUFA76619D3ST-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUF76619D3ST
  仓库库存编号：HUF76619D3ST-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUF76619D3S
  仓库库存编号：HUF76619D3S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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