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• Renesas Electronics America
  MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：UPA1764G-E2-AZ
  仓库库存编号：UPA1764G-E2-AZ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：94-4737
  仓库库存编号：94-4737-ND
  别名：*IRFR3303
  IRFR3303
  IRFR3303-ND
  SP001517800
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3303TR
  仓库库存编号：IRFR3303TR-ND
  别名：SP001572808
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3303
  仓库库存编号：IRFU3303-ND
  别名：*IRFU3303
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 14A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU13N15D
  仓库库存编号：IRFU13N15D-ND
  别名：*IRFU13N15D
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3303TRL
  仓库库存编号：IRFR3303TRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3303TRR
  仓库库存编号：IRFR3303TRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N15DTR
  仓库库存编号：IRFR13N15DTR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N15DTRL
  仓库库存编号：IRFR13N15DTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N15DTRR
  仓库库存编号：IRFR13N15DTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.5A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
  
  型号：BSL307SP
  仓库库存编号：BSL307SPINTR-ND
  别名：BSL307SPINTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3303PBF
  仓库库存编号：IRFU3303PBF-ND
  别名：*IRFU3303PBF
  SP001567700
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.5A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
  
  型号：BSL307SPT
  仓库库存编号：BSL307SPT-ND
  别名：SP000012585
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI60R299CPXKSA1-ND
  别名：IPI60R299CP
  IPI60R299CP-ND
  IPI60R299CPAKSA1
  IPI60R299CPX
  IPI60R299CPXK
  SP000103249
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL307SPL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSL307SPL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSL307SPL6327INCT
  BSL307SPL6327INCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3303CPBF
  仓库库存编号：IRFR3303CPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.4A（Ta），63A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC152N10NSFGATMA1
  仓库库存编号：BSC152N10NSFGATMA1TR-ND
  别名：BSC152N10NSF G
  BSC152N10NSF G-ND
  SP000379601
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 200V 18A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 100W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4020PBF
  仓库库存编号：IRFSL4020PBF-ND
  别名：SP001565208
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），71A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB053N03LP G
  仓库库存编号：BSB053N03LP G-ND
  别名：SP000597830
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），71A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF053N03LT G
  仓库库存编号：BSF053N03LT G-ND
  别名：SP000597832
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD600N25N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD600N25N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD600N25N3 GCT
  IPD600N25N3 GCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N06S415ATMA1
  仓库库存编号：IPG20N06S415ATMA1-ND
  别名：SP000705490
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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