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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF4104SPBF
  仓库库存编号：IRF4104SPBF-ND
  别名：*IRF4104SPBF
  SP001551088
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 3W（Ta），6.25W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4842BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4842BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4842BDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.4A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS039N08B
  仓库库存编号：FDMS039N08BCT-ND
  别名：FDMS039N08BCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc）
  
  型号：SI7148DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7148DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7148DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL80N75F6
  仓库库存编号：497-12981-1-ND
  别名：497-12981-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 240A POWERSO-10
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 300W（Tc） 10-PowerSO
  
  型号：STV240N75F3
  仓库库存编号：497-7029-1-ND
  别名：497-7029-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB200N6F3
  仓库库存编号：497-10025-1-ND
  别名：497-10025-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH250N55F3-6
  仓库库存编号：497-11309-1-ND
  别名：497-11309-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• IXYS
  N-CHANNEL: LINEAR POWER MOSFETS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 357W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXTA64N10L2
  仓库库存编号：IXTA64N10L2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLT8X8HV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta），34A（Tc） 3W（Ta），208W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL42N65M5
  仓库库存编号：497-13602-1-ND
  别名：497-13602-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Ta） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：TK35N65W,S1F
  仓库库存编号：TK35N65WS1F-ND
  别名：TK35N65W,S1F(S
  TK35N65W,S1F-ND
  TK35N65WS1F
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF4104PBF
  仓库库存编号：IRF4104PBF-ND
  别名：*IRF4104PBF
  SP001554010
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 58A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 167W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP6412ANG
  仓库库存编号：NTP6412ANGOS-ND
  别名：NTP6412ANG-ND
  NTP6412ANGOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK35A65W,S5X
  仓库库存编号：TK35A65WS5X-ND
  别名：TK35A65W,S5X(M
  TK35A65W,S5X-ND
  TK35A65WS5X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 38A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 450W（Tc） TO-247
  
  型号：STW40N95DK5
  仓库库存编号：497-17223-ND
  别名：497-17223
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 38A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 450W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：STWA40N95DK5
  仓库库存编号：497-17224-ND
  别名：497-17224
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 36A SO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ457EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ457EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ457EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6679
  仓库库存编号：FDS6679CT-ND
  别名：FDS6679CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 166W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SQM70060EL_GE3
  仓库库存编号：SQM70060EL_GE3CT-ND
  别名：SQM70060EL_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 176W（Tc） TO-220
  
  型号：STP100N8F6
  仓库库存编号：497-15553-5-ND
  别名：497-15553-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 260A 8PWRFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260A（Tc） 4.8W（Ta）, 187W（Tc） PowerFLAT（6x5）
  
  型号：STL220N6F7
  仓库库存编号：497-15914-1-ND
  别名：497-15914-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 333W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP075N15A_F102
  仓库库存编号：FDP075N15A_F102-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 33A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW42N65M5
  仓库库存编号：497-8796-5-ND
  别名：497-8796-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 68V 110A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 176W（Tc） TO-220
  
  型号：STP110N7F6
  仓库库存编号：STP110N7F6-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 176W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH110N7F6-2
  仓库库存编号：STH110N7F6-2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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