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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI42N65M5
  仓库库存编号：497-8899-5-ND
  别名：497-8899-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 1.5W（Ta） 8-HWSON（3.3x3.3）
  
  型号：UPA2812T1L-E2-AT
  仓库库存编号：UPA2812T1L-E2-AT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 1.5W（Ta）, 52W（Tc） 8-HVSON（3x3.3）
  
  型号：UPA2812T1L-E1-AT
  仓库库存编号：UPA2812T1L-E1-AT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 22.4A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22.4A（Tc） 3W（Ta），5.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4638DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4638DY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Ta） 1.5W（Ta），119W（Tc） TO-262
  
  型号：N0434N-S23-AY
  仓库库存编号：N0434N-S23-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 16.4A（Ta），101A（Tc） 2.5W（Ta），93.75W（Tc） DPAK-3
  
  型号：NVD5802NT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD5802NT4G-VF01-ND
  别名：NVD4856NT4G-VF01
  NVD5802NT4G
  NVD5802NT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 50A（Tc） 1.2W（Ta），84W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP50P04SDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP50P04SDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP50P04SDG-E1-AYCT
  NP50P04SDGE1AY
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8.8A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4425BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4425BDY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 24A（Ta），123A（Tc） 4W（Ta），107W（Tc） DPAK-3
  
  型号：NVD5890NT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD5890NT4G-VF01-ND
  别名：NVD5807NT4G-VF01
  NVD5890NT4G
  NVD5890NT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 167W（Tc） D2PAK-3
  
  型号：NVB6412ANT4G
  仓库库存编号：NVB6412ANT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 60V 8A TO263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8A（Ta），78A（Tc） 2.1W（Ta），187W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB411L
  仓库库存编号：AOB411L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Ta），100A（Tc） 7.3W（Ta），208W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6590
  仓库库存编号：AON6590-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7170DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7170DP-T1-GE3TR-ND
  别名：SI7170DP-T1-GE3TR
  SI7170DPT1GE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 80V 16A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），250W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT284L
  仓库库存编号：AOT284L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 15A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta），105A（Tc） 1.9W（Ta），250W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW284
  仓库库存编号：785-1696-5-ND
  别名：785-1696-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 16A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB284L
  仓库库存编号：AOB284L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP100N10
  仓库库存编号：FDP100N10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.5W（Ta），119W（Tc） TO-220
  
  型号：N0412N-S19-AY
  仓库库存编号：N0412N-S19-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 3.1W（Ta），78.1W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP85N03-3M6P-GE3
  仓库库存编号：SUP85N03-3M6P-GE3-ND
  别名：SUP85N03-3M6P-GE3CT
  SUP85N03-3M6P-GE3CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 8A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），130A（Tc） 2.1W（Ta），500W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB1100L
  仓库库存编号：785-1319-1-ND
  别名：785-1319-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 77A（Tc） 217W（Tc） D2PAK-3
  
  型号：NVB6411ANT4G
  仓库库存编号：NVB6411ANT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 64A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTH64N10L2
  仓库库存编号：IXTH64N10L2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 500W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT6017LLLG
  仓库库存编号：APT6017LLLG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 500W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT6017LFLLG
  仓库库存编号：APT6017LFLLG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 118A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM120-0075P3-SL
  仓库库存编号：GWM120-0075P3-SL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 100nC @ 10V,
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